.){kind=link}
Samsung Електрониката е технолошки гигант кој ги диктира трендовите во електрониката. Галакси паметните телефони се добар пример за достигнувањата на компанијата во дисплеи, хардвер, батерии и многу повеќе. Сепак, деловната стратегија Samsung не е ограничена само на мобилни уреди.
Следниот импресивен проект на компанијата вклучува развој на првите мемориски модули од 512 GB DDR5 во индустријата базирани на технологијата High-K Metal Gate (HKMG). Оваа технологија на производство ќе гарантира двојни перформанси на DDR4 RAM меморијата, која достигнува 7200 Mbit/s.
Новата генерација на RAM DDR5 од Samsung развиен земајќи ги предвид специфичните потреби на суперкомпјутерите, вештачката интелигенција и системите за машинско учење, како и за обработка на бази на податоци за истражување.
Моментално Samsung е единствениот производител кој ги има потребните ресурси и способности за интегрирање на HKMG за создавање DRAM меморија. Традиционално, оваа технологија се користи за создавање полупроводници, но сега е можно да се произведе DDR5 RAM меморија. Samsung ветува не само повисоки перформанси, туку и двоцифрено намалување на потрошувачката на енергија.
Тестовите покажуваат дека центрите за податоци базирани на DDR5 со технологија HKMG работат со полна брзина користејќи приближно 15% помалку енергија. Секоја оптимизација што ја намалува потребната енергија е критична за конфигурациите на серверот.
Процесот HKMG првпат беше искористен при создавањето на GDDR6 меморија во 2018 година. Компанијата сега ги проширува можностите на овој иновативен процес на DDR5 RAM меморија. Во овој случај, технологијата „Trough-Silicon Via“ (TSV) ви овозможува да поставите осум слоеви од 16 Gb DRAM со вкупен капацитет од 512 GB.
Па, сега Chrome е дефинитивно доволен.
Прочитајте исто така: