Компани Микрон технологи дэлхийн анхны 176 давхар флаш санах ойг нийлүүлж эхэлснээ зарлав 3D NAND. Үйлдвэрлэгчийн үзэж байгаагаар дэвшилтэт архитектурыг ашигласнаар "эрт нээлт" хийх боломжтой болсон бөгөөд энэ нь зөвхөн хадгалах нягтралыг төдийгүй гүйцэтгэлийг ихээхэн нэмэгдүүлдэг. Шинэ санах ой нь өгөгдлийн төв, ухаалаг дагалдах хэрэгсэл, хөдөлгөөнт төхөөрөмжүүдэд зориулагдсан програмуудыг олох болно.
Шинэлэг зүйл нь 3D NAND-ийн тав дахь үе ба RG (орлуулах хаалга) архитектурын хоёр дахь үе нь зах зээл дээр байгаа бүтээн байгуулалтуудаас хамгийн дэвшилтэт технологи юм. Micron-ийн үйлдвэрлэсэн өмнөх үеийн 3D NAND-тай харьцуулахад унших, бичих саатал 35%-иар багассан байна. Өөр нэг давуу тал нь авсаархан дизайн юм - 176 давхар санах ойн хайрцаг нь хамгийн шилдэг өрсөлдөгчдөөс ойролцоогоор 30% бага бөгөөд шинэ санах ойг жижиг хэлбэрийн хүчин зүйл чухал ач холбогдолтой програмуудад тохиромжтой болгодог.
Micron-ийн тав дахь үеийн 3D NAND нь Нээлттэй NAND Flash Interface (ONFI) автобусаар секундэд 1600 сая дамжуулалт (МТ/с) хурдтай салбартаа тэргүүлдэг бөгөөд энэ нь 33 MT/s-ээс 1200%-иар илүү юм. Өмнөх үеийн 96 давхарга, 128 давхар 3D NAND Micron санах ой.
Микрон шинэ санах ойг нэвтрүүлэх ажлыг хурдасгахын тулд салбарын төлөөлөгчидтэй хамтран ажиллаж байна. Micron-ийн 176 давхаргатай гурван түвшний 3D NAND санах ой нь Micron-ийн Сингапур дахь үйлдвэрт цувралаар үйлдвэрлэгдэж байгаа бөгөөд Crucial-ийн өргөн хэрэглээний хатуу төлөвт хөтчүүдийг багтаасан хэрэглэгчид ашиглах боломжтой болсон. Тус компани 2021 оны хуанлийн жилд энэхүү технологид суурилсан нэмэлт шинэ бүтээгдэхүүнүүдийг нэвтрүүлэх болно.
Мөн уншина уу:
- Sony Airpeak дроны шинэ төслийг зарлалаа
- Украйнд FeiyuTech AK2000С гар утасны steadicam-ийн худалдаа эхэлсэн