Компани Samsung Electronics нь анхны дан болор систем-он-чип (SoC, дэлгэрэнгүй мэдээллийг эндээс уншина уу) 10 нм FinFET процесс дээр.
10 нанометр нь аль хэдийн зах зээлд гарсан
Хагас дамжуулагчийн үйлдвэрлэлийн хэлтсийн дарга, Гүйцэтгэх дэд ерөнхийлөгч Ён Ши Юн хэлэхдээ "Зах зээл дээрх анхны бөөнөөр үйлдвэрлэсэн 10 нм FinFET шийдэл нь дэвшилтэт технологийг хөгжүүлэхэд манай манлайллыг баталж байна" гэж хэлэв. Samsung Электроник. "Бид өргөтгөх боломжтой шинэлэг технологийг бий болгож, хэрэглэгчдэд ялгаатай нэгдсэн шийдлээр хангахын тулд бүх хүчин чармайлтаа үргэлжлүүлэх болно."
Шинэ процессор Samsung 10нм FinFET (10LPE) нь дэвшилтэт транзистор 3D бүтэцтэй. Түүний ашиглалтын технологи, дизайн өмнөх 14 нм хувилбартай харьцуулахад сайжирч, гадаргуугийн тодорхой үр ашгийг 30%, гүйцэтгэлийг 40%, эрчим хүчний зарцуулалтыг 40% бууруулдаг. Хуваарийн хязгаарлалтыг арилгахын тулд шинэ шийдэл нь хамгийн сүүлийн үеийн техникийн шийдлийг ашигладаг - гурвалсан бүтэц. Энэ нь өмнөх загваруудтай харьцуулахад дизайн, чиглүүлэлтийн илүү уян хатан байдлыг дэмжихийн тулд хоёр талын чиглүүлэлтээр хангадаг.
Өмнө нь Samsung 10 нм технологийн процесст (10LPE) зориулсан эхний үеийн шийдлүүдийг танилцуулсан. Хоёрдахь үеийн (10LPP) гүйцэтгэл сайжирч, масс үйлдвэрлэлээ 2017 оны хоёрдугаар хагаст эхлүүлэхээр төлөвлөж байна.
Түншүүдтэйгээ нягт хамтран ажилладаг Samsung мөн лавлагааны урсгал, IP, номын сангийн баталгаажуулалтын хэрэгслүүдийг нэгтгэсэн функциональ хагас дамжуулагч экосистемийг бий болгохыг зорьж байна. Архитектурыг эхлүүлэхэд одоогоор Үйлдвэрлэлийн Хөгжлийн иж бүрдэл (PDK) болон IP Хөгжлийн иж бүрдэл бэлэн байна.
10нм SoC системийг ирэх оны эхнээс дижитал төхөөрөмжид ашиглах болно. Тэдгээрийг 2017 онд олон нийтийн хэрэглэгчдэд хүргэх төлөвтэй байна. Та компанийн талаар илүү ихийг мэдэх боломжтой Онлайн .