Компания Samsung анонсировала запуск массового производства первой в индустрии DRAM-памяти на 4 ГБ, основанной на втором поколении интерфейса высокой пропускной способности памяти (HBM2). Новое HBM-решение предлагает производительность, которая превышает предыдущий установленный рекорд в семь раз.
Память предназначена для современных видеокарт, если говорить о потребительском рынке. Пропускная способность нового чипа DRAM-памяти составляет 256 ГБ/с. Это эквивалентно семикратному увеличению в сравнении с пропускной способностью в 36 ГБ/с чипа GDDR5 DRAM, который обладает наивысшей скоростью передачи данных (9 ГБ/с) среди уже существующих чипов DRAM-памяти.
Также Samsung планирует представить до конца этого года HBM2 DRAM-память объемом 8 ГБ. Использование HBM2 DRAM-памяти ёмкостью 8 ГБ в графических картах позволит обеспечит экономию 95% пространства в сравнении с GDDR5 DRAM. Соответственно, пользователи получат оптимальное решение для компактных устройств, от которых требуется высокий уровень вычислительных возможностей.
Новинка подходит для использования в области высокопроизводительных вычислений (HPC), передовых графических и сетевых систем, а также корпоративных серверов. Она обеспечит более высокую скорость отклика во время выполнения высокопроизводительных вычислительных задач, включая параллельные вычисления, рендеринг графики и машинное обучение.