Forleden, visepresidenten for divisjonen Samsung fra kontraktsbrikkeproduksjon Jeon Gi-tae i et intervju med The Elec-publikasjonen rapportert, at i den fremtidige teknologiske prosessen SF1.4 (klasse 1,4 nm), vil antall kanaler i transistorer økes fra tre til fire, noe som vil gi håndgripelige fordeler når det gjelder ytelse og energiforbruk. Dette vil skje tre år etter utgivelsen av Intels lignende transistorer, som vil tvinge Samsung hamle opp med konkurrenten.
Selskap Samsung var den første som produserte transistorer med en port som fullstendig omgir kanalene i transistorene (SF3E). Dette skjedde for over et år siden og brukes ganske selektivt. For eksempel brukes denne typen 3 nm-prosess til å produsere sjetonger for gruvearbeidere i kryptovaluta. Kanaler i transistorer i den nye teknologiske prosessen er tynne nanoark plassert over hverandre. I transistorer Samsung tre slike kanaler, som er omgitt av en port på alle fire sider og derfor flyter strømmen gjennom dem under presis kontroll med minimal lekkasje.
Intel, tvert imot, vil begynne å produsere sine første transistorer med nanosheetkanaler i 2024 ved å bruke 2 nm RibbonFET Gate-All-Around (GAA) teknologiprosessen. Fra starten av vil de ha fire nanosheetkanaler i hver. Dette betyr at Intels GateGAA-transistorer vil være mer effektive enn tilsvarende transistorer Samsung, vil kunne passere en høyere strøm og vil være mer energieffektive enn transistorene til den sørkoreanske konkurrenten. Det vil vare ca tre år frem til Samsung vil ikke begynne å produsere brikker på den tekniske prosessen SF1.4, som er ventet i 2027. Som det nå er blitt kjent blir de også «fireblad» – de får fire kanaler hver i stedet for dagens tre.
Om det blir en annen sak Samsung faktisk falle bak Intel når det gjelder produksjonsevne? Innen den tid vil det sørkoreanske selskapet ha fem års erfaring i masseproduksjon av GAA-transistorer, mens Intel vil forbli en nykommer. Og med produksjonen av slike transistorer er alt neppe enkelt, fordi Samsung bruker denne tekniske prosessen veldig, veldig selektivt. Uansett vil overgangen til en ny arkitektur av transistorer være et betydelig gjennombrudd for halvlederindustrien og vil gjøre det mulig å flytte barrieren utover som tradisjonell halvlederproduksjon ikke lenger vil være i forkant av fremskritt om noen år til. .
Les også:
- Anmeldelse Samsung Galaxy Fold5: oppdatert, flaggskip, sammenleggbar
- Oversikt over Intel Core 14. generasjons prosessorer: hva er de interessante og hvem er de nyttige for?