Samsung Elektronikk har til hensikt å frigjøre 1 TB DDR5-minne i en enkelt modul takket være et gjennombrudd innen DRAM-produksjon.
Sørkoreansk selskap utviklet minneindustriens første 32-gigabit (GB) DDR5 RAM med høyest kapasitet, ved hjelp av en 12nm prosess. Takket være dette Samsung vil kunne produsere 5TB DDR1-minnemoduler, men det er en annen fordel med å flytte til 32GB DRAM. Sammenlignet med de eksisterende 5 GB DDR16 DRAM-modulene produsert ved hjelp av 12nm-prosessen, vil strømforbruket til 128 GB-modulene reduseres med 10 %.
I følge Sang-Joon Hwan, visepresident for DRAM-produkter og teknologi ved Samsung Elektronikk, i utgangspunktet vil hovedforbrukerne av dette minnet være datasentre, kunstig intelligens og big data: "Takket være våre 32 gigabyte med DRAM-minne i 12 nm-klassen, har vi fått en løsning som vil tillate oss å lage DRAM-moduler med en volum på opptil 1 TB, noe som vil tillate oss å være ideelt posisjonert for å møte det økende behovet for høykapasitets RAM i en tid med AI (kunstig intelligens) og big data … Vi vil fortsette å utvikle DRAM-løsninger ved hjelp av differensierte produksjonsprosesser og designe teknologier for å flytte grensene for minneteknologi."
Mer minne på mindre plass med mindre strømforbruk vil alltid være populært blant datasenteroperatører. Imidlertid bør denne minneteknologien etter hvert migrere til DDR5-modulene som brukes i våre stasjonære PC-er og bærbare datamaskiner. Foreløpig ser 192 GB minnesett bestående av fire moduler ut til å være det høyeste nivået for forbrukere.
Les også: