Companhia micron Technology anunciou o início das entregas da primeira memória flash de 176 camadas do mundo 3D NAND. Segundo o fabricante, o uso de arquitetura avançada possibilitou um "avanço radical", aumentando significativamente não apenas a densidade de armazenamento, mas também o desempenho. A nova memória encontrará aplicações em armazenamento para data centers, periféricos inteligentes e dispositivos móveis.
A novidade está na quinta geração do 3D NAND e na segunda geração da arquitetura RG (replacement-gate), sendo a mais avançada tecnologicamente entre os desenvolvimentos disponíveis no mercado. Em comparação com a geração anterior de NAND 3D produzida pela Micron, os atrasos de leitura e gravação foram reduzidos em mais de 35%. Outra vantagem é o design compacto – a matriz de memória de 176 camadas é aproximadamente 30% menor do que as melhores ofertas da concorrência, tornando a nova memória ideal para aplicações em que um fator de forma pequeno é importante.
O 3D NAND de quinta geração da Micron também possui uma taxa de transferência de dados líder do setor de 1600 milhões de transferências por segundo (MT/s) no barramento Open NAND Flash Interface (ONFI), que é 33% mais rápido do que os 1200 MT/s alcançados pelo Memórias 96D NAND Micron de 128 camadas e 3 camadas de gerações anteriores.
A Micron está trabalhando com representantes da indústria para acelerar a adoção da nova memória. A memória NAND 176D de três níveis e 3 camadas da Micron está em produção em série na fábrica da Micron em Cingapura e agora está disponível para os clientes, inclusive por meio da linha de unidades de estado sólido da Crucial. A empresa apresentará novos produtos adicionais baseados nessa tecnologia durante o ano civil de 2021.
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