Samsung anunciou o início da produção em massa de memória DRAM DDR16 de 5 gigabits, que utiliza o processo tecnológico mais avançado da indústria da classe de 12 nanômetros. A finalização do mais moderno processo produtivo confirma mais uma vez a liderança da empresa Samsung no campo de tecnologias DRAM avançadas.
Em comparação com a geração anterior, a nova RAM Samsung DRAM DDR5 classe 12nm reduz o consumo de energia em 23% enquanto aumenta o desempenho do wafer em 20%. A excelente eficiência energética o torna uma solução ideal para empresas globais de TI que buscam reduzir o consumo de energia e a pegada de carbono de seus servidores e data centers.
desenvolvimento Samsung A tecnologia de processo de 12 nm é possibilitada pelo uso de um novo material com alta condutividade, que ajuda a aumentar a capacidade das células. A alta capacitância leva a uma diferença significativa nos potenciais elétricos nos sinais de dados, o que torna mais fácil distingui-los com precisão. Os esforços da empresa para reduzir a tensão operacional e o ruído também ajudaram a criar a solução ideal de que os clientes precisavam.
Com uma velocidade máxima de 7,2 gigabits por segundo, o que significa que dois filmes UHD de 30 GB podem ser processados em cerca de um segundo, a linha DRAM DDR5 de 12 nm da Samsung suportará uma lista crescente de aplicativos, incluindo data centers, inteligência artificial e computação de última geração.
Em dezembro passado, a Samsung concluiu o teste de sua DRAM DDR16 de 5 gigabits para compatibilidade com AMD e continua trabalhando com empresas globais de TI para impulsionar a inovação no mercado de DRAM de próxima geração.
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