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Samsung Electronics é um gigante da tecnologia que dita as tendências em eletrônica. Os smartphones Galaxy são um bom exemplo das conquistas da empresa em telas, hardware, baterias e muito mais. No entanto, a estratégia de negócios Samsung não se limita a dispositivos móveis.
O próximo projeto impressionante da empresa envolve o desenvolvimento dos primeiros módulos de memória DDR512 de 5 GB da indústria baseados na tecnologia High-K Metal Gate (HKMG). Essa tecnologia de produção garantirá o dobro do desempenho da RAM DDR4, que chega a 7200 Mbit/s.
A nova geração de RAM DDR5 da Samsung desenvolvido tendo em conta as necessidades específicas de supercomputadores, sistemas de inteligência artificial e aprendizagem automática, bem como para o processamento de bases de dados de investigação.
Atualmente Samsung é o único fabricante que possui os recursos e capacidades necessários para integrar o HKMG para criar memória DRAM. Tradicionalmente, essa tecnologia é usada para criar semicondutores, mas agora é possível produzir RAM DDR5. Samsung promete não apenas maior desempenho, mas também uma redução de dois dígitos no consumo de energia.
Testes mostram que data centers baseados em DDR5 com tecnologia HKMG operam em velocidade máxima usando aproximadamente 15% menos energia. Qualquer otimização que reduza a energia necessária é crítica para as configurações do servidor.
O processo HKMG foi usado pela primeira vez na criação da memória GDDR6 em 2018. A empresa agora está estendendo os recursos desse processo inovador para RAM DDR5. Neste caso, a tecnologia "Trough-Silicon Via" (TSV) permite colocar oito camadas de 16 Gb DRAM com uma capacidade total de 512 GB.
Bem, agora o Chrome é definitivamente suficiente.
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