Companhia Samsung Electronics anunciou o início da produção em massa do primeiro sistema de cristal único System-on-Chip (SoC, leia os detalhes aqui) no processo FinFET de 10 nm.

10 nanômetros já estão no mercado

"A primeira solução FinFET de 10 nm de produção em massa no mercado confirma nossa liderança no desenvolvimento de tecnologias avançadas", disse Yeon Shi-yun, vice-presidente executivo, chefe da divisão de fabricação de semicondutores Samsung Eletrônicos. - Continuaremos a fazer todos os esforços para criar tecnologias escaláveis ​​inovadoras e fornecer aos usuários soluções integradas diferenciadas."

Novo processador Samsung 10nm FinFET (10LPE) possui uma estrutura 3D de transistor avançada. Sua tecnologia operacional e design foram aprimorados em relação à versão anterior de 14 nm, proporcionando eficiência de superfície específica 30% maior, desempenho 40% maior e consumo de energia 40% menor. Para remover as limitações de dimensionamento, a nova solução usa a solução técnica mais recente – estruturação tripla. Ele fornece roteamento bidirecional para oferecer maior flexibilidade no design e no roteamento em comparação com os modelos anteriores.

Antes Samsung apresentou a primeira geração de soluções para o processo tecnológico de 10 nm (10LPE). A segunda geração (10LPP) tem melhor desempenho, o início de sua produção em massa está previsto para o segundo semestre de 2017.

Em estreita colaboração com parceiros Samsung também pretende criar um ecossistema funcional de semicondutores que integre fluxo de referência, IP e ferramentas de verificação de biblioteca. Um Kit de Desenvolvimento de Produção (PDK) e um Kit de Desenvolvimento IP estão atualmente disponíveis para lançar a arquitetura.

O sistema SoC de 10 nm será usado em dispositivos digitais a partir do início do próximo ano. Espera-se que estejam disponíveis para o consumidor de massa em 2017. Você pode saber mais sobre a empresa Conectados .