Samsung Componente electronice a introdus cele mai încăpătoare cipuri de memorie DDR12 DRAM 5Gb de 32 nm din industrie, despre care spune că sunt potrivite în mod ideal pentru era inteligenței artificiale. Înainte de aceasta, compania putea produce cipuri de 32 Gbit numai cu montare TSV de cristale de 16 Gbit una peste alta. Lansarea de cipuri DDR32 „o singură bucată” de 5 Gb în același pachet cu cipuri de 16 Gb va reduce consumul și va deschide calea către module de memorie promițătoare de 1 TB.
Conform estimărilor Samsung, cipurile DDR5 cu capacitate dublă vor asigura un consum mai mic cu 10% al modulelor DDR128 de 5 GB. Este interesant că compania a anunțat foarte recent începerea producției de 12 nm 16 Gbit DDR5 DRAM - în luna mai a acestui an. Anunțul actual nu înseamnă o lansare imediată în producția de masă a cipurilor de 32 Gbit. Compania promite să-și înceapă producția abia la sfârșitul acestui an. Creșterea capacității cipurilor furnizate în serie la 32 Gbit va permite producătorilor de memorie să treacă la lansarea de module DDR5 de masă cu un volum de 64 GB și modele de server cu un volum de până la 1 TB.
„Prin crearea unei DRAM de 12 nm de 32 Gb, am oferit o soluție care va permite producerea de module DRAM de până la 1 TB, ceea ce ne oferă oportunitatea perfectă de a răspunde cererii tot mai mari de DRAM de mare capacitate în era inteligenței artificiale și a marilor date”, a spus Sun. Jun Hwang, vicepreședinte executiv al diviziei de produse și tehnologie DRAM a companiei Samsung Electronică. „Vom continua să dezvoltăm soluții DRAM bazate pe procese de producție diferențiate și tehnologii de proiectare pentru a depăși granițele tehnologiei memoriei”.
În prezent, producătorii de memorie precum SK hynix și Micron oferă doar cipuri DDR24 de 5 Gb, ceea ce permite module de masă de până la 96 GB, dar Samsung crește capacitatea cu un pas, oferind o a treia soluție mai densă. Cu toate acestea, Micron a confirmat și lucrările la cipurile DDR5 de 32 Gb în foaia de parcurs, deși acestea nu au fost încă anunțate oficial.
Pentru povestea lui Samsung a extins limitele RAM de 500 de ori. Compania și-a prezentat prima memorie (64 Kbit) în 1983. În ultimii 40 de ani, a crescut capacitatea microcircuitelor de un număr incredibil de ori, la care la acea vreme puțini oameni se puteau gândi.
Citeste si:
- SK hynix a dezvoltat cea mai rapidă memorie din lume – HBM3E cu o viteză de 1,15 TB/s
- Huawei construiește o rețea secretă de fabrici de cipuri sub sancțiuni