EKSA E5
Root NationНовостиНовости ITSamsung анонсировала первый в мире 10-нм 8 ГБ блок ОЗУ

Samsung анонсировала первый в мире 10-нм 8 ГБ блок ОЗУ

-

Не успел наладиться коммерческий выпуск 10-нм SoC, как Samsung анонсировала ещё один элемент грядущей мощности для мобильных устройств. Это блок оперативной памяти LPDDR4, созданный по технологии 10-нм, и имеющий ёмкость 8 ГБ.

samsung ram 8 gb

Samsung продвигает 10-нм всё дальше

Размеры у блока более чем компактны — 15х15х10 мм, он способен работать на частоте 4266 МГц и потребляет при этом столько же энергии, сколько потребляют блоки памяти по технологии 20-нм.

Их Samsung представила в прошлом году, и они состояли из двух LPDDR4-моделей — на 6 ГБ и 12 ГБ. А переход на блоки по 8 ГБ и 16 ГБ состоялся уже через 14 месяцев.

Источник: Overclock3D

0 0 голоса
Рейтинг статьи
Подписаться
Уведомить о
guest
0 комментариев
Межтекстовые Отзывы
Посмотреть все комментарии