Categories: Новости IT

Samsung анонсировала первый в мире 10-нм 8 ГБ блок ОЗУ

Не успел наладиться коммерческий выпуск 10-нм SoC, как Samsung анонсировала ещё один элемент грядущей мощности для мобильных устройств. Это блок оперативной памяти LPDDR4, созданный по технологии 10-нм, и имеющий ёмкость 8 ГБ.

Samsung продвигает 10-нм всё дальше

Размеры у блока более чем компактны – 15х15х10 мм, он способен работать на частоте 4266 МГц и потребляет при этом столько же энергии, сколько потребляют блоки памяти по технологии 20-нм.

Их Samsung представила в прошлом году, и они состояли из двух LPDDR4-моделей – на 6 ГБ и 12 ГБ. А переход на блоки по 8 ГБ и 16 ГБ состоялся уже через 14 месяцев.

Источник: Overclock3D

Share
Denis Zaychenko

Пишу много, иногда пишу в тему. Интересуюсь компьютерными & мобильными играми, а также сборкой ПК. Почти что эстет, предпочитаю наслаждаться, а не хаять.

Leave a Reply

Your email address will not be published. Required fields are marked*

Tags: Samsung