Компания Samsung Electronics объявила о запуске массового производства твердотельного накопителя (SSD) с 4-битовыми ячейками (QLC) SATA ёмкостью 4 ТБ, предназначенного для конечных потребителей.
В новых SSD Samsung используются QLC V-NAND микросхемы ёмкостью 1 Тбит. SSD обладают схожей производительностью с TLC SSD. Компания ожидает, что QLC SSD Samsung выведут твердотельные накопители на новый уровень эффективности.
«Новые QLC SATA SSD от Samsung знаменуют начало массового перехода на терабайтные SSD, – отметил Джейсу Хан, исполнительный вице-президент по продажам и маркетингу памяти в Samsung Electronics. – По мере расширения нашей линейки потребительских и корпоративных устройств QLC терабайтные твердотельные накопители будут распространяться по всему рынку».
С использованием нового QLC чипа V-NAND ёмкостью 1 Тбит Samsung также сможет производить более эффективные карты памяти для смартфонов емкостью 128 ГБ.
Поскольку объем данных, хранящихся в одной ячейке памяти, увеличивается с трех бит до четырех, емкость чипа на единицу площади повышается, а электрический заряд, необходимый для чтения информации, снижается на 50%. В связи с этим становится сложнее поддерживать необходимую производительность и скорость работы устройства.
Тем не менее, 4ТБ QLC SATA SSD обладает уровнем производительности схожим с тем, что демонстрируют TLC SSD. Это стало возможным благодаря использованию SSD контроллера и технологии TurboWrite, а также расширению ёмкости накопителя использованием 32 микросхем, основанных на 64-слойном V-NAND дизайне емкостью 1 Тбит.
Новый QLC SSD Samsung обеспечивает скорость последовательного чтения 540 Мбит/с и скорость последовательной записи 520 Мбит/с, устройство поставляется с трехлетней гарантией.
В 2018 году Samsung планирует представить несколько массовых моделей QLC SSD. Устройства получат форм-фактор 2,5 дюйма и емкость 1, 2 или 4 ТБ.
Кроме того, в этом году компания также намерена представить твердотельные накопители М.2 NVMe для корпоративного использования и запустить массовое производство памяти QLC V-NAND. Это позволит расширить линейку SSD и удовлетворить растущие требования к скорости и надежности работы памяти в различных сферах применения, таких как дата-центры, корпоративные сервера и корпоративные хранилища файлов.
История массового производства SSD компании Samsung:
| Год | Бит | Техпроцесс | Емкость микросхемы | Емкость диска |
| 2006 | 1-битный SLC | 70нм-класс | 4Гбит | 32ГБ |
| 2010 | 2-битный MLC | 30нм-класс | 32Гбит | 512ГБ |
| 2012 | 3-битный TLC | 20нм-класс | 64Гбит | 500ГБ |
| 2018 | 4-битный QLC | V-NAND 4-го поколения | 1Тбит | 4 ТБ |
Источник: Пресс-релиз компании Samsung
Leave a Reply