Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства первой в отрасли мобильной DRAM-памяти типа LPDDR3 емкостью 6 Гбит, которая выпускается по нормам 20-нм технологического процесса.
Новый чип мобильной памяти отличается высокой эффективностью, что обеспечивает увеличение сроков автономной работы аккумулятора и более быструю загрузку приложений, что особенно важно для мобильных устройств с большими экранами высокого разрешения.
Чипы памяти Samsung LPDDR3 емкостью 6 Гбит от Samsung обладают пропускной способностью в 2133 Мбит/с. Четыре микросхемы LPDDR3 емкостью 6 Гбит могут объединяться в модули объемом 3 ГБ (гигабайт), которые можно применять в самых разнообразных мобильных устройствах.
При этом 3 ГБ пакет чипов DRAM-памяти типа LPDDR3 на 20% меньше и на 10% энергоэффективнее по сравнению с аналогичным 3 ГБ набором LPDDR3-модлей емкостью 6 Гбит, созданных на базе технологического процесса предыдущего поколения.
Производство чипов памяти по 20-нм технологическому процессу привело к 30%-ному повышению производительности, по сравнению с устройствами, созданными на базе тех.процесса предыдущего поколения. Samsung впервые в индустрии применил 20-нм технологический процесс для создания чипов памяти DDR3 для ПК емкостью 4 ГБ в марте этого года, и теперь применил эту инновацию при создании чипов мобильной памяти DRAM.