Samsung Elektronika predstavila najpriestrannejšie 12nm DDR5 DRAM 32Gb pamäťové čipy v tomto odvetví, ktoré sú podľa neho ideálne vhodné pre vek umelej inteligencie. Predtým mohla spoločnosť vyrábať 32 Gbit čipy iba so 16 Gbit kryštálmi namontovanými na TSV jeden na druhom. Vydanie „jednokusových“ 32 Gb DDR5 čipov v rovnakom balení so 16 Gb čipmi zníži spotrebu a otvorí cestu sľubným 1 TB pamäťovým modulom.
Podľa odhadov Samsung, DDR5 čipy s dvojnásobnou kapacitou zabezpečia o 10 % nižšiu spotrebu 128 GB DDR5 modulov. Zaujímavosťou je, že spoločnosť ohlásila spustenie výroby 12 nm 16 Gbit DDR5 DRAM veľmi nedávno – v máji tohto roku. Aktuálne oznámenie neznamená okamžité spustenie sériovej výroby 32 Gbit čipov. Spoločnosť sľubuje spustiť ich výrobu až koncom tohto roka. Zvýšenie kapacity sériovo dodávaných čipov na 32 Gbit umožní výrobcom pamätí prejsť na vydanie hromadných modulov DDR5 s objemom 64 GB a serverových modelov s objemom do 1 TB.
„Vytvorením 12nm 32Gb DRAM triedy DRAM sme poskytli riešenie, ktoré umožní výrobu DRAM modulov až do 1TB, čo nám dáva dokonalú príležitosť uspokojiť rastúci dopyt po veľkokapacitných DRAM v ére umelej inteligencie a veľkých dáta,“ povedal Sun. Jun Hwang, výkonný viceprezident divízie produktov a technológií DRAM spoločnosti Samsung Elektronika. "Budeme pokračovať vo vývoji riešení DRAM založených na diferencovaných výrobných procesoch a dizajnových technológiách, aby sme posunuli hranice pamäťových technológií."
V súčasnosti výrobcovia pamätí ako SK hynix a Micron ponúkajú iba 24Gb DDR5 čipy, čo umožňuje hromadné moduly až do 96GB, ale Samsung zaberá kapacitu a ponúka tretie hustejšie riešenie. Micron však vo svojom pláne potvrdil aj prácu na 5Gb DDR32 čipoch, hoci ešte neboli oficiálne oznámené.
Pre jeho príbeh Samsung rozšíril limity RAM 500 64-krát. Spoločnosť predstavila svoju prvú (1983 Kbit) pamäť v roku 40. Za posledných XNUMX rokov neskutočne veľakrát zväčšila kapacitu mikroobvodov, na čo v tej dobe málokto mohol čo i len pomyslieť.
Prečítajte si tiež:
- SK hynix vyvinul najrýchlejšiu pamäť na svete – HBM3E s rýchlosťou 1,15 TB/s
- Huawei buduje tajnú sieť tovární na výrobu čipov pod sankciami