Samsung Elektronika má v úmysle uvoľniť 1 TB pamäte DDR5 v jednom module vďaka prelomu vo výrobe DRAM.
Juhokórejská spoločnosť vyvinuté prvá 32-gigabitová (GB) DDR5 RAM pamäťového priemyslu s najvyššou kapacitou, využívajúca 12nm proces. Vďaka tomuto Samsung bude môcť produkovať 5TB pamäťové moduly DDR1, no prechod na 32GB DRAM má aj ďalšiu výhodu. V porovnaní s existujúcimi 5GB DDR16 DRAM modulmi vyrábanými 12nm procesom sa spotreba 128GB modulov zníži o 10%.
Podľa Sang-Joona Hwana, viceprezidenta pre produkty a technológiu DRAM v Samsung Elektronika, spočiatku budú hlavnými spotrebiteľmi tejto pamäte dátové centrá, umelá inteligencia a veľké dáta: „Vďaka našej 32 gigabajtovej pamäti DRAM triedy 12 nm sme získali riešenie, ktoré nám umožní vytvárať moduly DRAM s objemom až 1 TB, čo nám umožní ideálne umiestnenie na uspokojenie rastúcej potreby vysokokapacitnej pamäte RAM v ére AI (umelej inteligencie) a veľkých dát... Budeme pokračovať vo vývoji riešení DRAM pomocou diferencovaných výrobných procesov a navrhovať technológie, ktoré posúvajú hranice pamäťových technológií.“
Viac pamäte na menšom priestore s menšou spotrebou energie bude vždy obľúbené u operátorov dátových centier. Táto pamäťová technológia by však mala časom migrovať na moduly DDR5 používané v našich stolných počítačoch a notebookoch. V súčasnosti sa zdá, že 192 GB pamäťové súpravy pozostávajúce zo štyroch modulov sú pre spotrebiteľov najvyššou úrovňou.
Prečítajte si tiež: