Samsung tillkännagav starten av massproduktion av 16-gigabit DDR5 DRAM-minne, som använder branschens mest avancerade tekniska process av 12-nanometerklassen. Slutförandet av den modernaste produktionsprocessen bekräftar återigen företagets ledarskap Samsung inom området avancerad DRAM-teknik.
Jämfört med föregående generation, det nya RAM-minnet Samsung 5nm klass DDR12 DRAM minskar strömförbrukningen med 23 % samtidigt som skivans prestanda ökar med 20 %. Enastående energieffektivitet gör den till en idealisk lösning för globala IT-företag som vill minska energiförbrukningen och koldioxidavtrycket från sina servrar och datacenter.
utveckling Samsung 12 nm processteknik möjliggörs genom användning av ett nytt material med hög konduktivitet, vilket bidrar till att öka kapaciteten hos cellerna. Den höga kapacitansen leder till en betydande skillnad i elektriska potentialer i datasignalerna, vilket gör det lättare att särskilja dem exakt. Företagets ansträngningar att minska driftspänningen och minska bullret bidrog också till att skapa den optimala lösning som kunderna behövde.
Med en maximal hastighet på 7,2 gigabit per sekund, vilket innebär att två 30 GB UHD-filmer kan bearbetas på ungefär en sekund, kommer Samsungs 5nm DDR12 DRAM-linje att stödja en växande lista med applikationer, inklusive datacenter, artificiell intelligens och nästa generations datoranvändning.
I december förra året slutförde Samsung att testa sitt 16-gigabit DDR5 DRAM för kompatibilitet med AMD och fortsätter att arbeta med globala IT-företag för att driva innovation på nästa generations DRAM-marknad.
Läs också:
- Recension Samsung Galaxy A34 5G: en balanserad mellanranger
- Recension Samsung Galaxy A54 5G: den nya kungen i mellanklassen?