SK Hynix, den näst största tillverkaren av minneskretsar efter Samsung, meddelade just (6 oktober 2020) att det är först i världen att producera chips DDR5 DRAM (dynamiskt RAM med dubbel dataöverföringshastighet).
De nya DDR5 DRAM-kretsarna har 1,8 gånger snabbare prestanda än den tidigare generationens DDR4-minne. Det sydkoreanska företaget sa att det har genomfört olika tester och till och med försett partnerföretag med sina prover för testning. En sådan partner är Intel. DDR5 är nästa generations DRAM-standard som kommer att ha ett brett utbud av applikationer, allt från big data, artificiell intelligens, maskininlärningsteknik, etc.
Enligt SK Hynix stöder det nya DDR5 DRAM-minnet överföringshastigheter på 4800 5600 till 1,8 3200 Mbps, vilket är 4 gånger snabbare än de 5600 5 Mbps som DDR1,2 erbjuder. Det snabbaste överföringsalternativet på 1,1 Mbps låter användare strömma cirka nio FHD-filmer på 20 GB vardera på en sekund. Trots den högre dataöverföringshastigheten är de nya DRAM-chipsen också mer energieffektiva: driftspänningen har sänkts från XNUMX till XNUMX volt, vilket möjliggör en XNUMX-procentig minskning av strömförbrukningen.
De nya DDR5-kretsarna är också laddade med Error Correction Code (ECC), som i sig kan korrigera 1-bitars DRAM-cellfel. Dessutom ökade den nya tekniken tillförlitligheten hos DDR5-applikationssystemet med 20 gånger och gjorde det möjligt att minska energiförbrukningen och driftskostnaderna för datacenter.
Läs också: