บริษัท เทคโนโลยีไมครอน ประกาศเริ่มการส่งมอบหน่วยความจำแฟลช 176 ชั้นตัวแรกของโลก 3D NAND. ตามที่ผู้ผลิตกล่าวว่าการใช้สถาปัตยกรรมขั้นสูงทำให้สามารถสร้าง "การพัฒนาที่รุนแรง" ได้อย่างมาก ไม่เพียงเพิ่มความหนาแน่นของพื้นที่จัดเก็บเท่านั้น แต่ยังรวมถึงประสิทธิภาพด้วย หน่วยความจำใหม่จะค้นหาแอปพลิเคชันในที่จัดเก็บข้อมูลสำหรับศูนย์ข้อมูล อุปกรณ์ต่อพ่วงอัจฉริยะ และอุปกรณ์พกพา
ความแปลกใหม่นี้เป็นรุ่นที่ 3 ของ 3D NAND และในรุ่นที่สองของสถาปัตยกรรม RG (replacement-gate) ซึ่งเป็นเทคโนโลยีที่ก้าวหน้าที่สุดในบรรดาการพัฒนาที่มีอยู่ในตลาด เมื่อเทียบกับ 35D NAND รุ่นก่อนหน้าที่ผลิตโดย Micron ความล่าช้าในการอ่านและเขียนลดลงมากกว่า 176% ข้อดีอีกประการคือการออกแบบที่กะทัดรัด – เมมโมรี่ดาย 30 เลเยอร์มีขนาดเล็กกว่าผลิตภัณฑ์คู่แข่งที่ดีที่สุดในระดับเดียวกันประมาณ XNUMX% ทำให้หน่วยความจำใหม่นี้เหมาะสำหรับการใช้งานที่ฟอร์มแฟคเตอร์ขนาดเล็กมีความสำคัญ
3D NAND รุ่นที่ 1600 ของไมครอนยังมีอัตราการถ่ายโอนข้อมูลชั้นนำของอุตสาหกรรมที่ 33 ล้านการถ่ายโอนต่อวินาที (MT/s) ผ่านบัส Open NAND Flash Interface (ONFI) ซึ่งเร็วกว่า 1200 MT/s ที่ทำได้ถึง 96% หน่วยความจำ 128D NAND Micron 3 ชั้นและ XNUMX ชั้นของรุ่นก่อนหน้า
ไมครอนกำลังทำงานร่วมกับตัวแทนในอุตสาหกรรมเพื่อเร่งการนำหน่วยความจำใหม่มาใช้ หน่วยความจำ 176D NAND 3 ระดับ 2021 เลเยอร์ของไมครอนอยู่ในการผลิตเป็นชุดที่โรงงานของไมครอนในสิงคโปร์ และขณะนี้มีจำหน่ายแล้วสำหรับลูกค้า รวมถึงผ่านกลุ่มผลิตภัณฑ์ไดรฟ์โซลิดสเตตสำหรับผู้บริโภคของ Crucial บริษัทจะแนะนำผลิตภัณฑ์ใหม่เพิ่มเติมที่ใช้เทคโนโลยีนี้ในช่วงปีปฏิทิน XNUMX
อ่าน:
- Sony ประกาศโครงการโดรน Airpeak ใหม่
- การขายสเตติแคมเคลื่อนที่ - FeiyuTech AK2000С ได้เริ่มขึ้นแล้วในยูเครน