Samsung ประกาศในวันนี้ว่าการเริ่มต้นการผลิตจำนวนมากของสิ่งที่เชื่อว่าเป็นหน่วยความจำ 236D NAND แบบ 8 เลเยอร์ ซึ่งบริษัทเรียกว่า V-NAND รุ่นที่ 2400 ชิปใหม่นี้มีอัตราการถ่ายโอนข้อมูลที่ 12 Mbit/s และเมื่อรวมกับตัวควบคุมที่ปรับปรุงแล้ว พวกมันจะสามารถสร้างไดรฟ์โซลิดสเทตระดับไคลเอนต์ที่มีอัตราการถ่ายโอนข้อมูลมากกว่า XNUMX Gbit/s
อุปกรณ์ V-NAND รุ่นที่ 8 ใหม่มีความจุ 1 TB (128 GB) ซึ่ง Samsung อ้างว่ามีความหนาแน่นบิตสูงสุดของอุตสาหกรรมโดยไม่เปิดเผยขนาดชิปหรือความหนาแน่นจริง ชิปยังมีอัตราการถ่ายโอนข้อมูลที่ 2400 Mbps ซึ่งมีความสำคัญสำหรับไดรฟ์โซลิดสเตต PCIe 5.0 x4 ที่ดีที่สุด ซึ่งเมื่อจับคู่กับตัวควบคุมที่เหมาะสมแล้ว จะให้ความเร็วในการถ่ายโอนข้อมูลที่รวดเร็วปานสายฟ้าที่ 12,4 Gbps (หรือมากกว่านั้น!)
Samsung อ้างว่าหน่วยความจำ 3D NAND รุ่นใหม่จะให้ประสิทธิภาพที่สูงขึ้น 20% ต่อเวเฟอร์ เมื่อเทียบกับอินเทอร์เฟซแฟลชที่มีอยู่ซึ่งมีความจุเท่ากัน ซึ่งจะลดต้นทุนของบริษัท
ในขณะเดียวกัน บริษัทไม่ได้พูดอะไรเกี่ยวกับสถาปัตยกรรมของอุปกรณ์ แต่จากภาพที่ให้มา เราสามารถสันนิษฐานได้ว่าเป็นชิป 3D NAND แบบสองระนาบ
"เนื่องจากความต้องการของตลาดสำหรับไดรฟ์จัดเก็บข้อมูลที่มีความหนาแน่นมากขึ้น ความจุที่สูงขึ้นจะเพิ่มจำนวนเลเยอร์ V-NAND Samsung ใช้เทคโนโลยีการปรับขนาด 3D ขั้นสูงเพื่อลดพื้นที่ผิวและความสูงในขณะที่หลีกเลี่ยงการรบกวนระหว่างเซลล์กับเซลล์ที่มักเกิดขึ้นเมื่อลดขนาดลง SongHoi Hur รองประธานบริหารกล่าว Samsung อิเล็กทรอนิคส์ในหน่วยความจำแฟลชและเทคโนโลยี "V-NAND รุ่นที่ XNUMX ของเราจะช่วยตอบสนองความต้องการของตลาดที่เติบโตอย่างรวดเร็ว และทำให้เราสามารถส่งมอบผลิตภัณฑ์และโซลูชั่นที่แตกต่างออกไป ซึ่งจะสนับสนุนนวัตกรรมการจัดเก็บข้อมูลในอนาคต"
Samsung ยังไม่ได้ประกาศผลิตภัณฑ์จริงใด ๆ ที่ใช้หน่วยความจำ V-NAND เจนเนอเรชั่น 8 แต่เราสามารถสันนิษฐานได้ว่าอุปกรณ์แรกจะเน้นไปที่แอปพลิเคชันไคลเอนต์
คุณสามารถช่วยยูเครนต่อสู้กับผู้รุกรานรัสเซีย วิธีที่ดีที่สุดคือบริจาคเงินให้กับกองทัพยูเครนผ่าน เซฟไลฟ์ หรือทางเพจอย่างเป็นทางการ NBU.
อ่าน: