Samsung อิเล็กทรอนิกส์ ตั้งใจที่จะปล่อยหน่วยความจำ DDR1 ขนาด 5 TB ในโมดูลเดียวด้วยความก้าวหน้าในการผลิต DRAM
บริษัทเกาหลีใต้ ที่พัฒนา DDR32 RAM ขนาด 5 กิกะบิต (GB) ตัวแรกในอุตสาหกรรมหน่วยความจำที่มีความจุสูงสุด โดยใช้กระบวนการ 12 นาโนเมตร ขอบคุณสิ่งนี้ Samsung จะสามารถผลิตโมดูลหน่วยความจำ DDR5 ขนาด 1TB ได้ แต่การเปลี่ยนไปใช้ DRAM ขนาด 32GB ยังมีข้อดีอีกประการหนึ่ง เมื่อเปรียบเทียบกับโมดูล 5GB DDR16 DRAM ที่มีอยู่ซึ่งผลิตโดยใช้กระบวนการ 12 นาโนเมตร การใช้พลังงานของโมดูล 128GB จะลดลง 10%
ตามที่ Sang-Joon Hwan รองประธานฝ่ายผลิตภัณฑ์และเทคโนโลยี DRAM ของ Samsung อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งในขั้นต้นผู้บริโภคหลักของหน่วยความจำนี้จะเป็นศูนย์ข้อมูล ปัญญาประดิษฐ์ และข้อมูลขนาดใหญ่: “ด้วยหน่วยความจำ DRAM ขนาด 32 กิกะไบต์ของเราในระดับ 12 นาโนเมตร เราได้รับโซลูชันที่จะช่วยให้สามารถสร้างโมดูล DRAM ด้วย ปริมาณสูงสุด 1 TB ซึ่งจะช่วยให้เราอยู่ในตำแหน่งที่เหมาะสมที่สุดเพื่อตอบสนองความต้องการ RAM ความจุสูงที่เพิ่มขึ้นในยุคของ AI (ปัญญาประดิษฐ์) และข้อมูลขนาดใหญ่ … เราจะพัฒนาโซลูชัน DRAM ต่อไปโดยใช้กระบวนการผลิตที่แตกต่างและ ออกแบบเทคโนโลยีเพื่อก้าวข้ามขอบเขตของเทคโนโลยีหน่วยความจำ”
หน่วยความจำที่มากขึ้นในพื้นที่น้อยลงและการใช้พลังงานน้อยลงจะได้รับความนิยมจากผู้ให้บริการศูนย์ข้อมูลเสมอ อย่างไรก็ตาม เทคโนโลยีหน่วยความจำนี้ควรจะย้ายไปยังโมดูล DDR5 ที่ใช้ในเดสก์ท็อปพีซีและแล็ปท็อปของเราในที่สุด ปัจจุบัน ชุดหน่วยความจำขนาด 192 GB ที่ประกอบด้วยสี่โมดูลดูเหมือนจะเป็นระดับสูงสุดสำหรับผู้บริโภค
อ่าน: