บริษัท Samsung อิเล็กทรอนิคส์ประกาศเริ่มต้นการผลิตจำนวนมากเป็นครั้งแรกในตลาดระบบผลึกเดี่ยว System-on-Chip (SoC, อ่านรายละเอียดที่นี่) บนกระบวนการ FinFET ขนาด 10 นาโนเมตร
10 นาโนเมตรอยู่ในตลาดแล้ว
Yeon Shi-yun รองประธานบริหาร หัวหน้าแผนกการผลิตเซมิคอนดักเตอร์กล่าวว่า "โซลูชัน FinFET ขนาด 10 นาโนเมตรสำหรับการผลิตจำนวนมากตัวแรกในตลาดเป็นการยืนยันความเป็นผู้นำของเราในการพัฒนาเทคโนโลยีขั้นสูง" Samsung อิเล็กทรอนิกส์. - เราจะพยายามอย่างเต็มที่ต่อไปเพื่อสร้างเทคโนโลยีนวัตกรรมที่ปรับขนาดได้ และมอบโซลูชันแบบบูรณาการที่แตกต่างให้แก่ผู้ใช้"
โปรเซสเซอร์ใหม่ Samsung 10nm FinFET (10LPE) มีโครงสร้าง 3 มิติของทรานซิสเตอร์ขั้นสูง เทคโนโลยีการทำงานและการออกแบบได้รับการปรับปรุงให้ดีขึ้นจากรุ่น 14 นาโนเมตรก่อนหน้านี้ โดยมอบประสิทธิภาพพื้นผิวที่เฉพาะเจาะจงสูงขึ้น 30% ประสิทธิภาพที่สูงขึ้น 40% และลดการใช้พลังงานลง 40% เพื่อขจัดข้อจำกัดด้านมาตราส่วน โซลูชันใหม่จะใช้โซลูชันทางเทคนิคล่าสุด – โครงสร้างสามชั้น มีการกำหนดเส้นทางแบบสองทางเพื่อรองรับความยืดหยุ่นในการออกแบบและการกำหนดเส้นทางที่มากขึ้นเมื่อเทียบกับรุ่นก่อนหน้า
ก่อน Samsung นำเสนอโซลูชั่นรุ่นแรกสำหรับกระบวนการเทคโนโลยี 10 นาโนเมตร (10LPE) เจเนอเรชันที่สอง (10LPP) ได้รับการปรับปรุงประสิทธิภาพ การเริ่มต้นการผลิตจำนวนมากมีกำหนดในช่วงครึ่งหลังของปี 2017
โดยความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับพันธมิตร Samsung ยังตั้งใจที่จะสร้างระบบนิเวศเซมิคอนดักเตอร์ที่ใช้งานได้ซึ่งรวมโฟลว์อ้างอิง, IP และเครื่องมือตรวจสอบไลบรารี ขณะนี้มี Production Development Kit (PDK) และ IP Development Kit เพื่อเปิดตัวสถาปัตยกรรม
ระบบ SoC ขนาด 10 นาโนเมตรจะถูกใช้ในอุปกรณ์ดิจิทัลตั้งแต่ต้นปีหน้า คาดว่าจะวางจำหน่ายแก่ผู้บริโภคจำนวนมากในปี 2017 คุณสามารถเรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับบริษัท ออนไลน์ .