SK Hynix, ang pangalawang pinakamalaking tagagawa ng memory chips pagkatapos Samsung, inanunsyo lamang (Oktubre 6, 2020) na ito ang kauna-unahan sa mundo na gumawa ng mga chips DDR5 DRAM (dynamic na RAM na may double data transfer rate).
Ipinagmamalaki ng bagong DDR5 DRAM chips ang 1,8 beses na mas mabilis na pagganap kaysa sa nakaraang henerasyong DDR4 memory. Sinabi ng kumpanya ng South Korea na nakumpleto na nito ang iba't ibang mga pagsubok at nagbigay pa ng mga kasosyong kumpanya ng mga sample nito para sa pagsubok. Ang isang ganoong kasosyo ay ang Intel. Ang DDR5 ay ang susunod na henerasyong pamantayan ng DRAM na magkakaroon ng malawak na hanay ng mga aplikasyon mula sa malaking data, artificial intelligence, mga teknolohiya sa pag-aaral ng makina, atbp.
Ayon sa SK Hynix, sinusuportahan ng bagong DDR5 DRAM ang mga bilis ng paglilipat na 4800 hanggang 5600 Mbps, na 1,8 beses na mas mabilis kaysa sa 3200 Mbps na inaalok ng DDR4. Kapansin-pansin, ang pinakamabilis na opsyon sa paglipat na 5600 Mbps ay nagbibigay-daan sa mga user na mag-stream ng humigit-kumulang siyam na FHD na pelikula na 5GB bawat isa sa isang segundo. Sa kabila ng mas mataas na rate ng paglipat ng data, ang mga bagong DRAM chips ay mas mahusay din sa enerhiya: ang operating boltahe ay nabawasan mula 1,2 hanggang 1,1 volts, na nagbibigay-daan para sa isang 20 porsiyentong pagbawas sa paggamit ng kuryente.
Ang bagong DDR5 chips ay ni-load din ng Error Correction Code (ECC), na mismong may kakayahang itama ang 1-bit-level na DRAM cell error. Bilang karagdagan, pinataas din ng bagong teknolohiya ang pagiging maaasahan ng sistema ng aplikasyon ng DDR5 ng 20 beses at pinahintulutan na bawasan ang pagkonsumo ng enerhiya at mga gastos sa pagpapatakbo ng mga data center.
Basahin din: