.){kind=link}
Samsung Elektronik, elektronikte trendleri belirleyen bir teknoloji devidir. Galaxy akıllı telefonlar, şirketin ekranlar, donanım, piller ve diğer alanlardaki başarılarına iyi bir örnektir. Ancak, iş stratejisi Samsung mobil cihazlarla sınırlı değildir.
Şirketin bir sonraki etkileyici projesi, endüstrinin High-K Metal Gate (HKMG) teknolojisine dayalı ilk 512 GB DDR5 bellek modüllerinin geliştirilmesini içeriyor. Bu üretim teknolojisi, 4 Mbit/s'ye ulaşan DDR7200 RAM'in iki katı performansını garanti edecek.
Yeni nesil RAM DDR5 Samsung süper bilgisayarların, yapay zekanın ve makine öğrenimi sistemlerinin özel ihtiyaçlarının yanı sıra araştırma veritabanlarını işlemek için geliştirilmiştir.
Şu anda Samsung DRAM belleği oluşturmak için HKMG'yi entegre etmek için gerekli kaynaklara ve yeteneklere sahip tek üreticidir. Geleneksel olarak, bu teknoloji yarı iletkenler oluşturmak için kullanılır, ancak artık DDR5 RAM üretmek mümkündür. Samsung sadece daha yüksek performans değil, aynı zamanda enerji tüketiminde iki haneli bir azalma vaat ediyor.
Testler, HKMG teknolojisine sahip DDR5 tabanlı veri merkezlerinin yaklaşık %15 daha az güç kullanarak tam hızda çalıştığını gösteriyor. Gereken enerjiyi azaltan herhangi bir optimizasyon, sunucu yapılandırmaları için kritik öneme sahiptir.
HKMG işlemi ilk olarak 6'de GDDR2018 belleğinin oluşturulmasında kullanıldı. Şirket şimdi bu yenilikçi sürecin yeteneklerini DDR5 RAM'e genişletiyor. Bu durumda, "Trough-Silicon Via" (TSV) teknolojisi, toplam 16 GB kapasiteli sekiz katman 512 Gb DRAM yerleştirmenize olanak tanır.
Eh, şimdi Chrome kesinlikle yeterli.
Ayrıca okuyun: