Багато хто впевнений, що до кінця десятиліття напівпровідникова промисловість упреться в стіну з точки зору можливості масштабування транзисторів на кремнії за допомогою органічних матеріалів. Проте масштабування є ключовим фактором для розвитку технології виробництва мікросхем, і наступним великим стрибком для галузі може стати скло. Компанія Intel представила те, що вона називає однією з перших скляних основ для вдосконаленого корпуса наступного покоління. Завдяки цій технології галузь зможе застосовувати закон Мура і після 2030 року.
Старший віцепрезидент Intel та генеральний директор з розробки збірки та тестування Бабак Сабі каже, що на розробку та покращення цієї інновації знадобилося понад 10 років досліджень.
Порівняно з сучасними органічними підкладками, скло має кращі термічні, фізичні та оптичні властивості, що дозволяє збільшити щільність з’єднань до 10 разів. Скло також витримує вищі робочі температури та пропонує на 50% менше спотворень малюнка з покращеною площинністю, що покращує глибину фокусування для літографії. А той факт, що підкладка може витримувати вищі температури, надає дизайнерам додаткову гнучкість у питаннях електроживлення та маршрутизації сигналів.
Покращені механічні властивості, своєю чергою, призведуть до підвищення продуктивності збірки та зменшення кількості відходів. Коротко кажучи, скляна підкладка дозволить архітекторам мікросхем упаковувати більше чиплетів на меншій площі в одному корпусі, і при цьому будуть зменшені витрати та енергоспоживання.
Протягом десятиліть Intel була першопрохідцем у напівпровідниковій індустрії. У 90-х роках виробник мікросхем очолив перехід від керамічних до органічних корпусів, а також був першим, хто почав постачати безгалогенні та безсвинцеві корпуси. Представники компанії говорять, що скляні підкладки спочатку будуть зарезервовані для застосування в областях, які потребують корпусів більшого форм-фактора, наприклад, для графіки, центрів обробки даних та ШІ.
Компанія планує постачати комплексні рішення на скляних підкладках, починаючи з другої половини цього десятиліття, і планує вийти на 1 трильйон транзисторів на корпусі до 2030 року.
Читайте також:
Leave a Reply