 для авіації і космосу.){kind=link}
Щойно було оголошено про початок випуску дискретних чипів пам’яті STT-MRAM ємністю 1 Гбіт (128 МБ) для авіації і космосу. Це у багато разів щільніша магніторезистивна пам’ять, за ту що пропонувалася раніше. Фактична щільність розміщення елементів пам’яті STT-MRAM збільшена у 64 рази, якщо говорити про продукцію компанії Micross, яка випускає наднадійну електронну начинку для аерокосмічної і оборонної промисловості.
В основі мікросхем STT-MRAM Micross лежить технологія американської компанії Avalanche Technology. Компанія Avalanche створена у 2006 році вихідцем з Lexar і Cirrus Logic Петром Естахрі. Крім Avalanche в розробці комерційних версій STT-MRAM досягли успіху компанії Everspin і Samsung. Перша працює у співпраці з GlobalFoundries і орієнтується на випуск вбудовуваної і дискретної STT-MRAM з технологічними нормами 22 нм, а друга (Samsung) поки випускає STT-MRAM у вигляді вбудованих в контролери 28 нм блоків. Блок STT-MRAM ємністю 1 Гбіт, до речі, Samsung представила майже три роки тому.
Заслугою Micross можна вважати випуск дискретної 1Гбіт STT-MRAM, яку легко використовувати в електроніці замість NAND-флеш. Пам’ять STT-MRAM працює в більшому температурному діапазоні (від -40° C до 125° C) з практично нескінченною кількістю циклів перезапису. Вона не боїться радіації і перепадів температур і може зберігати дані в осередках до 10 років, не кажучи про більші швидкості читання і запису, і про менше енергоспоживання.
Нагадаємо, що пам’ять STT-MRAM зберігає дані в осередках у вигляді намагніченості. Цей ефект виявлений в 1974 році під час розробки жорстких дисків в компанії IBM. Точніше, тоді був виявлений магніторезистивний ефект, що послужив основою технології MRAM. Набагато пізніше було запропоновано змінювати намагніченість запам’ятовуючого шару за допомогою ефекту переносу спіна електрона (магнітного моменту). Так до назви MRAM додалася абревіатура STT. На перенесенні спіна ґрунтується напрямок спінтроніки в електроніці, що дуже сильно знижує споживання чипів за рахунок гранично малих струмів в процесі.
Читайте також: