Categories: Новини IT

Samsung анонсувала перший в світі 10-нм 8 ГБ блок ОЗУ

Не встиг налагодитися комерційний випуск 10-нм SoC, як Samsung анонсувала ще один елемент майбутньої потужності для мобільних пристроїв. Це блок оперативної пам’яті LPDDR4, створений за технологією 10-нм, котрий має ємність 8 ГБ.

Samsung просуває 10-нм все далі

Розміри у блоку більш ніж компактні – 15х15х10 мм, він здатний працювати на частоті 4266 МГц і споживає при цьому стільки ж енергії, скільки споживають блоки пам’яті за технологією 20-нм.

Їх Samsung представила в минулому році, і вони складалися з двох LPDDR4-моделей – на 6 ГБ і 12 ГБ. А перехід на блоки по 8 ГБ і 16 ГБ відбувся вже через 14 місяців.

Джерело: Overclock3D

Share
Denis Zaychenko

Пишу багато, іноді по ділу. Цікавлюсь комп'ютерними та іноді мобільними іграми, а також збірками ПК. Майже естет, більше люблю хвалити, ніж хаяти.

Leave a Reply

Your email address will not be published. Required fields are marked*