Днями віцепрезидент підрозділу Samsung із контрактного виробництва чипів Чон Гі Тхе в інтерв’ю виданню The Elec повідомив, що в майбутньому техпроцесі SF1.4 (клас 1,4 нм) кількість каналів у транзисторах збільшать із трьох до чотирьох, що принесе з собою відчутні переваги в плані продуктивності та енергоспоживання. Це відбудеться на три роки пізніше випуску аналогічних за будовою транзисторів Intel, що змусить Samsung наздоганяти конкурента.
Компанія Samsung першою почала випускати транзистори із затвором, що повністю оточує канали в транзисторах (SF3E). Це сталося понад рік тому і використовується досить вибірково. Наприклад, такого роду 3 нм техпроцес задіяний для випуску чипів для майнерів криптовалюти. Канали в транзисторах у новому техпроцесі являють собою тонкі нанолисти, розміщені один над одним. У транзисторах Samsung три таких канали, які з усіх чотирьох боків оточені затвором і тому струм через них тече під точним контролем з мінімальними витоками.
Компанія Intel, навпаки, свої перші транзистори з каналами-нанолистами почне випускати у 2024 з використанням 2 нм техпроцесу RibbonFET Gate-All-Around (GAA). Від самого початку вони матимуть по чотири нанолистових канали в кожному. Це означає, що GateGAA-транзистори Intel будуть продуктивніші, ніж аналогічні за будовою транзистори Samsung, зможуть пропускати більший струм і виявляться більш енергоефективними, ніж транзистори південнокорейського конкурента. Це триватиме близько трьох років, поки Samsung не почне випускати чипи на техпроцесі SF1.4, що очікується у 2027. Як тепер стало відомо, вони теж стануть “чотирилистовими” – отримають по чотири канали кожен замість сьогоднішніх трьох.
Інша справа, чи буде Samsung насправді відставати від Intel у плані технологічності? На той час у південнокорейської компанії буде п’ять років досвіду з масового випуску GAA-транзисторів, тоді як Intel залишатиметься новачком. А з виробництвом таких транзисторів навряд чи все просто, оскільки Samsung використовує цей техпроцес дуже і дуже вибірково. У будь-якому разі, перехід на нову архітектуру транзисторів стане для галузі напівпровідників помітним проривом і дасть змогу ще на кілька років відсунути бар’єр, за яким традиційне виробництво напівпровідників перестане перебувати на вістрі прогресу.
Читайте також:
- Огляд Samsung Galaxy Fold5: оновлений, флагманський, складаний
- Огляд процесорів Intel Core 14 покоління: чим цікаві та кому корисні?