Samsung покращує свій портфель GDDR6 з новим модулем, здатним передавати дані зі швидкістю 24 Гбіт/с на контакт. Він в основному призначений для високопродуктивних відеокарт та прискорювачів штучного інтелекту (ШІ), але компанія також випускатиме варіанти з низьким енергоспоживанням для інших програм.
Samsung анонсувала першу в галузі оперативну пам’ять GDDR6 з такою пропускною здатністю, яка використовуватиметься у графічних картах наступного покоління від Nvidia та AMD, а також у ноутбуках, ігрових консолях та прискорювачах штучного інтелекту для центрів обробки даних.
Корейський технологічний гігант заявляє, що вже почав пробувати нові чипи пам’яті ємністю 16 ГБ, а його клієнти розпочнуть перевірочні випробування наприкінці цього місяця. Крім того, комерційна доступність буде прив’язана до майбутніх випусків графічних процесорів, тому незабаром ми побачимо 24 Гбіт/с GDDR6 у нових продуктах.
Однією з очевидних переваг цього нового модуля GDDR6 є те, що він може забезпечити на 30% вищу швидкість у порівнянні з попереднім модулем Samsung 18 Гбіт/с. Іншими словами, повністю оснащена відеокарта преміум-класу зможе забезпечити пропускну спроможність пам’яті до 1,1 Тбіт/с, що еквівалентно передачі 275 фільмів 1080p за одну секунду.
На відміну від GDDR6X, розробленої Micron у співпраці з Nvidia, нова пам’ять GDDR6 DRAM від Samsung повністю відповідає специфікаціям JEDEC. Також очікується, що вона буде менш енергоємною завдяки використанню технології металевих затворів high-k. Це також означає, що вона працюватиме повільніше, ніж GDDR6X, забезпечуючи кращу продуктивність та дешевше у виробництві.
Говорячи про виробництво, Samsung створює нову лінійку GDDR6 на 10 нм (1z) технологічному вузлі. І хоча компанія в основному націлена на графічні процесори та прискорювачі штучного інтелекту з новою технологією, вона також випускатиме варіанти зі швидкістю 20 Гбіт/с та 16 Гбіт/с для застосунків із низьким енергоспоживанням. З цією метою Samsung також використовує технологію динамічного перемикання напруги, яка може регулювати напругу від 1,1 до 1,35 В, щоб при необхідності підвищити енергоефективність на 20%.
Samsung вважає, що ринок високопродуктивної графіки в найближчі роки побачить здорове двозначне зростання. Компанії потрібен значний шматок цього все більшого пирога, тому вона докладає всіх можливих зусиль, щоб перемогти TSMC у гонці за розробку передових технологій виробництва мікросхем.
Нагадаю, минулого місяця компанія розпочала виробництво чипів за 3 нм техпроцесом на своїх підприємствах у Хвасоні. Чи буде цього достатньо, щоб зацікавити такі компанії, як Nvidia, ще невідомо, але Samsung залишається світовим лідером у галузі DRAM із часткою ринку майже 44%.
Ви можете допомогти Україні боротися з російськими окупантами. Найкращий спосіб зробити це – пожертвувати кошти Збройним Силам України через Savelife або через офіційну сторінку НБУ.
Підписуйтесь на наші сторінки в Twitter та Facebook.
Читайте також: