Bigme KIVI KidsTV
Categories: Новини IT

Samsung запустила масове виробництво 12 нм DDR5 DRAM – найпередовішої оперативної пам’яті

Samsung оголосила про початок масового виробництва 16-гігабітної оперативної пам’яті DDR5 DRAM, в якій використовується найсучасніша в галузі технологічний процес 12-нанометрового класу. Завершення найсучаснішого виробничого процесу ще раз підтверджує лідерство компанії Samsung у сфері передових технологій DRAM.

Порівняно з попереднім поколінням, нова оперативна пам’ять Samsung DDR5 DRAM класу 12 нм знижує енергоспоживання на 23%, одночасно підвищуючи продуктивність пластин на 20%. Видатна енергоефективність робить її ідеальним рішенням для глобальних ІТ-компаній, які прагнуть зменшити енергоспоживання та вуглецевий слід своїх серверів і центрів обробки даних.

Розробка Samsung технології 12 нм техпроцесу стала можливою завдяки використанню нового матеріалу з високим коефіцієнтом провідності, який допомагає збільшити місткість комірок. Висока місткість призводить до значної різниці електричних потенціалів у сигналах даних, що полегшує їх точне розрізнення. Зусилля компанії, спрямовані на зниження робочої напруги та зменшення шуму, також допомогли створити оптимальне рішення, необхідне клієнтам.

Завдяки максимальній швидкості 7,2 гігабіт на секунду, що означає, що два фільми у форматі UHD об’ємом 30 ГБ можна обробити приблизно за секунду, лінійка оперативної пам’яті DDR5 DRAM Sаmsung 12 нм класу підтримуватиме зростаючий список застосунків, включаючи центри обробки даних, штучний інтелект і обчислення наступного покоління.

У грудні минулого року Sаmsung завершила тестування 16-гігабітної пам’яті DDR5 DRAM на сумісність з AMD і продовжує співпрацювати з глобальними ІТ-компаніями, щоб стимулювати інновації на ринку DRAM наступного покоління.

Читайте також:

Share
Julia Alexandrova

Кофеман. Фотограф. Пишу про науку та космос. Вважаю, нам ще рано зустрічатися з прибульцями. Стежу за розвитком робототехніки, на всяк випадок ...

Leave a Reply

Your email address will not be published. Required fields are marked*