Samsung Electronics представила найбільш ємні в галузі 12 нм чипи пам’яті DDR5 DRAM 32 Гбіт, які, за її словами, ідеально підходить для епохи штучного інтелекту. До цього компанія могла випускати 32 Гбіт чипи тільки при TSV-монтажі один на одного 16 Гбіт кристалів. Випуск “цілісних” 32 Гбіт чипів DDR5 в однаковому корпусі з 16 Гбіт мікросхемами знизить споживання і відкриє шлях до перспективних 1 ТБ модулів пам’яті.
За оцінками Samsung, мікросхеми DDR5 удвічі більшої місткості забезпечать на 10% нижче споживання 128 ГБ модулів DDR5. Цікаво, що про початок виробництва 12 нм 16 Гбіт DDR5 DRAM компанія повідомила зовсім недавно – у травні цього року. Нинішній анонс не означає негайний запуск у масове виробництво 32 Гбіт мікросхем. Компанія обіцяє почати їх випуск тільки наприкінці поточного року. Збільшення місткості чипів, що поставляються серійно до 32 Гбіт дозволить виробникам пам’яті перейти до випуску масових модулів DDR5 об’ємом 64 ГБ і серверних моделей об’ємом аж до 1 ТБ.
“Створюючи 12 нм DRAM класу 32 Гбіт, ми забезпечили рішення, яке дасть змогу випускати модулі DRAM об’ємом до 1 ТБ, що дає нам ідеальні можливості для задоволення зростаючих потреб у DRAM великої місткості в епоху штучного інтелекту та великих даних, – заявив Сан Джун Хванг, виконавчий віцепрезидент підрозділу DRAM Product & Technology компанії Samsung Electronics. – Ми продовжимо розробку рішень DRAM на основі диференційованих технологічних процесів і технологій проектування, щоб розширити межі технологій пам’яті”.
Наразі виробники пам’яті, як-от SK hynix і Micron, пропонують лише 24 Гбіт чипи DDR5, що дає змогу створювати масові модулі з об’ємом до 96 ГБ, але Samsung піднімає місткість на сходинку вище, пропонуючи на третину щільніше рішення. Утім, Micron також підтвердила роботу над чипами DDR5 32 Гбіт місткості у своїй дорожній карті, хоча їхнього офіційного анонсу поки не було.
За свою історію Samsung розширила межі оперативної пам’яті в 500 тис. разів. Свою першу (64 Кбіт) пам’ять компанія представила в 1983 році. За минулі 40 років вона збільшила місткість мікросхем у неймовірну кількість разів, про що в той час мало хто міг навіть подумати.
Читайте також:
- SK hynix розробила найшвидшу пам’ять у світі – HBM3E зі швидкістю 1,15 Тбайт/с
- Huawei будує секретну мережу заводів з виробництва чипів під санкціями