Очікується, що Samsung оголосить початок масового виробництва 3 нм чипів наступного тижня, повідомляє видання Yonhap News. Це означає, що компанія випередить TSMC, яка, як очікується, розпочне виробництво 3 нм чипів у другій половині цього року.
У порівнянні з 5 нм техпроцесом (який використовувався для Snapdragon 888 та Exynos 2100), 3 нм вузол Sаmsung дозволить зменшити площу на 35%, підвищити продуктивність на 30% та знизити енергоспоживання на 50%.
Це буде досягнуто завдяки переходу на конструкцію транзисторів Gate-All-Around (GAA). Це наступний крок після FinFET, оскільки він дозволяє зменшити розміри транзисторів без шкоди для їхньої здатності проводити струм. Конструкція GAAFET, що використовується на 3 нм вузлі показана на малюнку нижче.
Минулого місяця президент США Джо Байден відвідав завод Samsung у Пхентхеку, щоб взяти участь у демонстрації 3 нм технології Samsung. Минулого року ходили розмови про те, що компанія може інвестувати $10 млрд у будівництво 3 нм ливарного заводу у Техасі. Ці інвестиції зросли до $17 млрд. Очікується, що завод розпочне роботу у 2024 році.
У будь-якому разі, найбільше занепокоєння під час створення нового вузла викликає вихід продукції. У жовтні минулого року Samsung заявила, що продуктивність 3 нм техпроцесу «наближається до рівня, аналогічного 4 нм техпроцесу». Хоча компанія так і не представила офіційних цифр, аналітики вважають, що 4 нм вузол Samsung був пов’язаний із проблемами виходу продукції.
3 нм вузол другого покоління очікується у 2023 році, а дорожня карта компанії також включає 2 нм вузол на базі MBCFET у 2025 році.
Ви можете допомогти Україні боротися з російськими окупантами. Найкращий спосіб зробити це – пожертвувати кошти Збройним Силам України через Savelife або через офіційну сторінку НБУ.
Читайте також:
Leave a Reply