, нової технології пам'яті.){kind=link}
Компанія Samsung використала передове комп’ютерне моделювання для прискорення розробки Selector-Only Memory (SOM), нової технології пам’яті, яка поєднує енергонезалежність зі швидкістю читання/запису, подібною до DRAM, та можливістю стекування.
Щоб дізнатись останні новини, слідкуйте за нашим каналом Google News онлайн або через застосунок.
Спираючись на попередні дослідження компанії в цій галузі, SOM базується на архітектурі пам’яті з перехресними точками, подібній до фазової пам’яті та резистивної оперативної пам’яті (RRAM), де використовуються стекові масиви електродів. Зазвичай ці архітектури вимагають селекторного транзистора або діода для адресації певних комірок пам’яті та запобігання непередбачуваним електричним шляхам.
Samsung застосувала новий підхід, дослідивши матеріали на основі халькогенідів, які функціонують як селектор і елемент пам’яті, представивши нову форму енергонезалежної пам’яті.
Видання eeNews Analog повідомляє, що дослідники Samsung представлять свої результати на цьогорічній Міжнародній зустрічі електронних пристроїв (IEDM), яка відбудеться з 7 по 11 грудня в Сан-Франциско. Південнокорейський технологічний гігант розповість про те, як він перевіряв широкий спектр халькогенідних матеріалів для застосування в SOM.
Samsung заявляє, що в ході дослідження було вивчено понад 4 тис. комбінацій матеріалів, з яких за допомогою комп’ютерного моделювання Ab-initio було відібрано 18 перспективних кандидатів (див. діаграму вище). Основна увага була зосереджена на покращенні дрейфу порогової напруги та оптимізації вікна пам’яті – двох ключових факторах продуктивності SOM.
Традиційні дослідження SOM обмежувалися використанням халькогенідних систем Ge, As і Se, що містяться в порогових перемикачах (OTS). Однак Samsung заявляє, що їхній комплексний процес моделювання дозволив провести ширший пошук, враховуючи характеристики з’єднання, термічну стабільність і надійність пристрою, щоб підвищити продуктивність і ефективність.
У наступній презентації IEDM, повідомляє eeNews Analog, дослідники IMEC обговорять потенційні атомні механізми, такі як локальна перебудова атомних зв’язків і атомна сегрегація, які можуть пояснити, як працює селекторний компонент в SOM, надалі впливаючи на порогову напругу – важливий фактор продуктивності пам’яті.
Якщо вам цікаві статті та новини про авіацію та космічну техніку — запрошуємо вас на наш новий проєкт AERONAUT.media.
Читайте також: