Samsung Electronics має намір випустити 1 ТБ пам’яті DDR5 в одному модулі завдяки прориву у виробництві DRAM.
Південнокорейська компанія розробила першу в індустрії пам’яті 32-гігабітну (Гб) оперативну пам’ять DDR5 з найвищою місткістю, яка використовує 12 нм технологічний процес. Завдяки цьому Samsung зможе виробляти модулі пам’яті DDR5 ємністю 1 ТБ, але є ще одна перевага переходу на 32 Гб DRAM. У порівнянні з існуючими модулями DDR5 DRAM 16 Гб, виготовленими за 12 нм технологічним процесом, енергоспоживання модулів об’ємом 128 Гб зменшиться на 10%.
За словами Санг-Джун Хвана, віце-президента з продуктів і технологій DRAM в Samsung Electronics, спочатку основними споживачами цієї пам’яті будуть центри обробки даних, штучний інтелект і великі дані: “Завдяки нашій 32-гігабайтній пам’яті DRAM класу 12 нм ми отримали рішення, яке дозволить створювати модулі DRAM об’ємом до 1 ТБ, що дозволить нам зайняти ідеальну позицію для задоволення зростаючої потреби в оперативній пам’яті великої місткості в епоху ШІ (штучного інтелекту) і великих даних … Ми продовжимо розробляти рішення DRAM за допомогою диференційованих технологічних процесів і технологій проєктування, щоб розширити межі технологій пам’яті”.
Більше пам’яті в меншому просторі з меншим енергоспоживанням завжди буде популярним для операторів центрів обробки даних. Однак ця технологія пам’яті повинна з часом перейти в модулі DDR5, які використовуються в наших настільних ПК і ноутбуках. Наразі комплекти пам’яті об’ємом 192 ГБ, що складаються з чотирьох модулів, здаються споживачам найвищим рівнем.
Читайте також: