Як вважають у SK hynix, повноцінний штучний інтелект з’явиться в наших смартфонах тільки з подальшим зростанням обсягу пам’яті мобільних пристроїв. Новим кроком до цього став випуск компанією чипів пам’яті LPDDR5X об’ємом 24 ГБ – вони вже встановлюються в смартфони OPPO. За одну секунду нова пам’ять здатна пропустити через себе 13 фільмів у форматі Full HD, і це далеко не межа.
Формально масовий випуск 24 ГБ мікросхем пам’яті LPDDR5X компанія SK hynix почала в листопаді 2022 року. Сьогоднішній анонс розкриває виробничі плани компанії і дає змогу зробити це на тлі вчорашнього анонсу смартфона OnePlus Ace 2 Pro 2 з 24 ГБ оперативної пам’яті. Крім OPPO нову пам’ять отримують інші виробники смартфонів, імена яких SK hynix поки не розкриває.
В основі техпроцесу виробництва 24 ГБ мікросхем LPDDR5X лежить добре відомий за випуском центральних процесорів техпроцес High-K Metal Gate (HKMG), який представляє собою використання в складі транзисторів з металевим затвором тонких ізолюючих плівок з високою діелектричною проникністю. Це дає змогу знизити витоки струму і веде до зниження енергоспоживання за одночасного збільшення швидкості роботи. За словами SK hynix, це перша у світі мобільна DRAM, випущена із застосуванням техпроцесу HKMG.
Мікросхеми LPDDR5X місткістю 24 ГБ працюють у діапазоні наднизької напруги від 1,01 до 1,12 В, встановленого Об’єднаним інженерним комітетом з електронних пристроїв (JEDEC), і здатні обробляти 68 Гбайт/с, що еквівалентно передачі 13 фільмів у форматі FHD (Full HD) за одну секунду.
“Завдяки своєчасному постачанню 24 ГБ LPDDR5X від SK hynix ми змогли першими випустити смартфон, оснащений наймісткішою в галузі пам’яттю DRAM, – заявив Луїс Лі, віце-президент з маркетингу компанії OPPO. – Цей новий смартфон дозволить покупцям насолодитися оптимізованою багатозадачністю, а також збільшеним часом автономної роботи”.
Подібні телефони стануть незамінними в епоху кишенькових ШІ, впевнені експерти, що, своєю чергою, продовжить стимулювати розвиток ринку пам’яті.
Окремо компанія SK hynix наголошує на швидкості роботи мобільної пам’яті. Представлена на початку цього року пам’ять LPDDR5T (з індексом “Турбо”) на практиці довела свою спроможність. Так, окремим прес-релізом SK hynix повідомила, що нові мікросхеми LPDDR5T у складі платформи MediaTek Dimensity показали робочу швидкість на рівні 9,6 Гбіт/с на кожний контакт шини даних, що на 13% швидше допустимої стандартом JEDEC для пам’яті LPDDR5X швидкості обміну даними.
Разом із платформами MediaTek нова надшвидка пам’ять знайде застосування в точках доступу і буде затребувана в інших застосунках, де важлива швидкість роботи. Щоправда, для цього доведеться ще трохи почекати, адже пам’ять LPDDR5T і її характеристики поки не отримали фінальної підтримки комітету JEDEC у вигляді нових специфікацій або доповнень до стандарту LPDDR5. Очікується, що це станеться до кінця року і пристрої з пам’яттю LPDDR5T з’являться в продажу в 2024 році.
Читайте також: