SK Hynix, другий за величиною виробник мікросхем пам’яті після Samsung, щойно (6 жовтня 2020 року) оголосив, що першим у світі випускає мікросхеми DDR5 DRAM (динамічна оперативна пам’ять з подвійною швидкістю передачі даних).
Нові чіпи DDR5 DRAM можуть похвалитися підвищенням продуктивності у 1,8 рази швидше, ніж пам’ять DDR4 попереднього покоління. Південнокорейська компанія заявила, що завершила різні випробування і навіть надала компаніям-партнерам свої зразки для перевірки. Одним з таких партнерів є Intel. DDR5 – це стандарт DRAM наступного покоління, який буде мати широке застосування, починаючи від великих даних, штучного інтелекту, технологій машинного навчання і тд.
Згідно SK Hynix, нова DDR5 DRAM підтримує швидкість передачі від 4800 до 5600 Мбіт/с, що в 1,8 рази швидше, ніж 3200 Мбіт/с, пропоновані DDR4. Примітно, що найшвидший варіант передачі 5600 Мбіт/с дозволяє користувачам передавати близько дев’яти фільмів у форматі FHD розміром 5 ГБ кожен за одну секунду. Попри вищу швидкість передачі даних, нові мікросхеми DRAM також більш енергоефективні: робоча напруга знижена з 1,2 до 1,1 вольт, що дозволяє знизити енергоспоживання на 20 процентів.
У нові мікросхеми DDR5 також завантажений код корекції помилок (ECC), який сам здатний виправляти помилки 1-бітного рівня осередку DRAM. Крім того, нова технологія також підвищила надійність системи застосунків DDR5 у 20 разів і дозволила знизити енергоспоживання і експлуатаційні витрати центрів обробки даних.
Читайте також: