 наступного покоління для високопродуктивних обчислень і зокрема для сфери ШІ.){kind=link}
SK hynix оголосила про те, що розробила пам’ять HBM3E – високошвидкісну оперативну пам’ять (DRAM) наступного покоління для високопродуктивних обчислень і зокрема для сфери ШІ. Ця пам’ять, за твердженням компанії, є найпродуктивнішою у світі та наразі проходить перевірки і тести у клієнтів SK hynix.
HBM (High Bandwidth Memory) – це високошвидкісна пам’ять, яка представляє собою стек із вертикально з’єднаних декількох чипів DRAM, що забезпечує значне збільшення швидкості обробки даних порівняно зі звичайними чипами DRAM. HBM3E – це поліпшена версія пам’яті HBM3 п’ятого покоління, яка прийшла на зміну попереднім поколінням: HBM, HBM2, HBM2E і HBM3.
SK hynix підкреслює, що успішне розроблення HBM3E стало можливим завдяки досвіду компанії, отриманому як єдиного масового виробника HBM3. Планується, що масове виробництво HBM3E почнеться в першій половині наступного року, що зміцнить лідируючі позиції компанії на ринку пам’яті для ШІ.
За даними SK hynix, новинка не тільки відповідає найвищим галузевим стандартам за швидкістю, ключовим параметром пам’яті для завдань ШІ, а й в інших категоріях, включно з місткістю, тепловідведенням і зручністю використання. HBM3E здатна обробляти дані зі швидкістю до 1,15 Тбайт/с, що еквівалентно передаванню за секунду понад 230 повнометражних фільмів із роздільною здатністю Full HD розміром 5 ГБ кожен.
Крім того, HBM3E має поліпшений на 10% тепловідвід завдяки застосуванню передової технології Advanced Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF2). Нова пам’ять також забезпечує зворотну сумісність, що дасть змогу використовувати її в уже наявних прискорювачах, які створювалися під HBM3.
“Ми давно співпрацюємо з SK hynix у сфері пам’яті з високою пропускною здатністю для передових прискорених обчислювальних рішень. Ми з нетерпінням чекаємо продовження нашого співробітництва з HBM3E для створення наступного покоління обчислень з ШІ”, – сказав Іен Бак, віцепрезидент із гіпермасштабних і високопродуктивних обчислень у NVIDIA.
Сунгсу Рю, керівник відділу планування продуктів DRAM у SK hynix, наголосив, що компанія зміцнила свої ринкові позиції, доповнивши лінійку продуктів HBM, яка перебуває в центрі уваги у світлі розвитку технології ШІ.
Читайте також: