.){kind=link}
Samsung Elektronika - bu elektronikadagi tendentsiyalarni belgilaydigan texnologiya giganti. Galaxy smartfonlari kompaniyaning displeylar, apparat vositalari, batareyalar va boshqa sohalardagi yutuqlariga yorqin misoldir. Biroq, biznes strategiyasi Samsung mobil qurilmalar bilan cheklanmaydi.
Kompaniyaning navbatdagi ta'sirchan loyihasi High-K Metal Gate (HKMG) texnologiyasiga asoslangan sanoatning birinchi 512 GB DDR5 xotira modullarini ishlab chiqishni o'z ichiga oladi. Ushbu ishlab chiqarish texnologiyasi 4 Mbit/s ga yetadigan DDR7200 RAMning ikki baravar ishlashini kafolatlaydi.
dan yangi avlod RAM DDR5 Samsung superkompyuterlar, sun'iy intellekt va mashinani o'rganish tizimlarining o'ziga xos ehtiyojlarini hisobga olgan holda ishlab chiqilgan, shuningdek, tadqiqot ma'lumotlar bazalarini qayta ishlash uchun.
Hozirda Samsung DRAM xotirasini yaratish uchun HKMG ni birlashtirish uchun zarur resurslar va imkoniyatlarga ega bo'lgan yagona ishlab chiqaruvchi hisoblanadi. An'anaga ko'ra, bu texnologiya yarimo'tkazgichlarni yaratish uchun ishlatiladi, ammo endi DDR5 RAM ishlab chiqarish mumkin. Samsung nafaqat yuqori ko'rsatkichlarni, balki energiya sarfini ikki xonali kamaytirishni ham va'da qiladi.
Sinovlar shuni ko'rsatadiki, HKMG texnologiyasiga ega DDR5 asosidagi ma'lumotlar markazlari taxminan 15% kamroq quvvat sarflagan holda to'liq tezlikda ishlaydi. Kerakli energiyani kamaytiradigan har qanday optimallashtirish server konfiguratsiyasi uchun juda muhimdir.
HKMG jarayoni birinchi marta 6 yilda GDDR2018 xotirasini yaratishda ishlatilgan. Endi kompaniya ushbu innovatsion jarayonning imkoniyatlarini DDR5 RAMgacha kengaytirmoqda. Bunday holda, "Trough-Silicon Via" (TSV) texnologiyasi jami 16 Gb sig'imli 512 Gb DRAMning sakkizta qatlamini joylashtirish imkonini beradi.
Xo'sh, endi Chrome etarli.
Shuningdek o'qing: