Samsung Thiết bị điện tử đã giới thiệu chip bộ nhớ 12nm DDR5 DRAM 32Gb dung lượng lớn nhất trong ngành mà họ cho là phù hợp lý tưởng với thời đại trí tuệ nhân tạo. Trước đó, công ty chỉ có thể sản xuất chip 32 Gbit bằng cách gắn TSV các tinh thể 16 Gbit chồng lên nhau. Việc phát hành chip DDR32 5 Gb “một mảnh” trong cùng gói với chip 16 Gb sẽ giảm mức tiêu thụ và mở đường cho các mô-đun bộ nhớ 1 TB đầy hứa hẹn.
Theo ước tính Samsung, Chip DDR5 có dung lượng gấp đôi sẽ giúp giảm 10% mức tiêu thụ mô-đun DDR128 5 GB. Điều thú vị là công ty đã thông báo bắt đầu sản xuất DRAM 12 nm 16 Gbit DDR5 rất gần đây - vào tháng 32 năm nay. Thông báo hiện tại không có nghĩa là sẽ ngay lập tức đưa vào sản xuất hàng loạt chip 32 Gbit. Công ty hứa hẹn sẽ chỉ bắt đầu sản xuất vào cuối năm nay. Việc tăng dung lượng của các chip được cung cấp nối tiếp lên 5 Gbit sẽ cho phép các nhà sản xuất bộ nhớ chuyển sang phát hành hàng loạt mô-đun DDR64 với dung lượng 1 GB và các mẫu máy chủ có dung lượng lên tới TB.
"Bằng cách tạo ra DRAM loại 12Gb 32nm, chúng tôi đã cung cấp giải pháp cho phép sản xuất các mô-đun DRAM lên đến 1TB, mang đến cho chúng tôi cơ hội hoàn hảo để đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng về DRAM dung lượng cao trong kỷ nguyên trí tuệ nhân tạo và các nền tảng lớn. dữ liệu," Sun cho biết. Jun Hwang, phó chủ tịch điều hành bộ phận Sản phẩm & Công nghệ DRAM của công ty Samsung Thiết bị điện tử. "Chúng tôi sẽ tiếp tục phát triển các giải pháp DRAM dựa trên các quy trình sản xuất và công nghệ thiết kế khác biệt để vượt qua các ranh giới của công nghệ bộ nhớ."
Hiện tại, các nhà sản xuất bộ nhớ như SK hynix và Micron chỉ cung cấp chip DDR24 5Gb, cho phép các mô-đun lớn lên tới 96GB, nhưng Samsung nâng công suất lên một tầm cao, đưa ra giải pháp dày đặc thứ ba. Tuy nhiên, Micron cũng đã xác nhận việc phát triển chip DDR5 32Gb trong lộ trình của mình, mặc dù chúng vẫn chưa được công bố chính thức.
Đối với câu chuyện của mình Samsung đã mở rộng giới hạn của RAM lên 500 lần. Công ty đã giới thiệu bộ nhớ (64 Kbit) đầu tiên vào năm 1983. Trong 40 năm qua, nó đã tăng công suất của vi mạch lên gấp nhiều lần, điều mà vào thời điểm đó ít người có thể nghĩ tới.
Đọc thêm:
- SK hynix đã phát triển bộ nhớ nhanh nhất thế giới – HBM3E với tốc độ 1,15 TB/s
- Huawei đang xây dựng một mạng lưới bí mật gồm các nhà máy sản xuất chip dưới lệnh trừng phạt