Samsung Thiết bị điện tử dự định tung ra 1 TB bộ nhớ DDR5 trong một mô-đun duy nhất nhờ vào bước đột phá trong sản xuất DRAM.
Công ty Hàn Quốc phát triển RAM DDR32 5 gigabit (GB) đầu tiên của ngành bộ nhớ có dung lượng cao nhất, sử dụng quy trình 12nm. Nhờ đó Samsung sẽ có thể sản xuất các mô-đun bộ nhớ DDR5 1TB, nhưng có một lợi ích khác khi chuyển sang DRAM 32GB. So với các mô-đun DRAM DDR5 16GB hiện có được sản xuất bằng quy trình 12nm, mức tiêu thụ điện năng của các mô-đun 128GB sẽ giảm 10%.
Theo Sang-Joon Hwan, phó chủ tịch sản phẩm và công nghệ DRAM tại Samsung Điện tử, ban đầu, đối tượng tiêu dùng chính của bộ nhớ này sẽ là trung tâm dữ liệu, trí tuệ nhân tạo và dữ liệu lớn: “Nhờ có bộ nhớ DRAM 32 gigabyte loại 12 nm, chúng tôi đã có được giải pháp cho phép tạo ra các mô-đun DRAM với một dung lượng lên tới 1 TB, điều này sẽ cho phép chúng tôi có vị trí lý tưởng để đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng về RAM dung lượng cao trong kỷ nguyên AI (trí tuệ nhân tạo) và dữ liệu lớn… Chúng tôi sẽ tiếp tục phát triển các giải pháp DRAM bằng cách sử dụng các quy trình sản xuất khác biệt và công nghệ thiết kế để vượt qua ranh giới của công nghệ bộ nhớ.”
Nhiều bộ nhớ hơn với ít không gian hơn và tiêu thụ ít điện năng hơn sẽ luôn được các nhà khai thác trung tâm dữ liệu ưa chuộng. Tuy nhiên, công nghệ bộ nhớ này cuối cùng sẽ chuyển sang các mô-đun DDR5 được sử dụng trong máy tính để bàn và máy tính xách tay của chúng ta. Hiện tại, bộ nhớ 192 GB gồm bốn mô-đun dường như là mức cao nhất đối với người tiêu dùng.
Đọc thêm: