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美光科技宣布开始量产并交付采用该制造商最先进工艺流程 - 16β（5-beta）制造的 1GB DDR1 内存芯片。 在此内存的基础上，可以为服务器和个人计算机创建速度高达 7200 MT/s 的 RAM 模块。
公司 宣布，与上一代内存相比，过渡到采用先进 High-K CMOS 技术、四相时钟频率调节和时钟同步的 1β 工艺，性能提高了 50%，每瓦能效提高了 33% 。
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随着 CPU 核心数量的增加以满足数据中心工作负载不断增长的需求，对更高容量、高带宽内存的需求也在增加。 基于美光 5β 工艺技术的高达 7200 MT/s DDR1 DRAM 内存可实现具有更高性能的可扩展计算，适用于数据处理中心的人工智能 (AI) 学习和集成、生成式 AI、数据分析和内存数据库 (IMDB) 等领域以及客户端平台上。
美光的新型内存芯片有 16、24 和 32 Gbit（2、3 和 4 GB）容量，运行速度为 4800 至 7200 MT/s。 新内存将在服务器和消费领域提供。 制造商指出，美光计划将先进 1β 工艺的使用扩展到 LPDDR5x、GDDR7 甚至 HBM3e 内存晶体的生产。
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