这家总部位于加利福尼亚州的公司正在推出其所谓的革命性解决方案，以使用 3D 堆叠技术提高 DRAM 芯片的密度。 新的存储芯片将显着增加 DRAM 容量，同时要求低制造成本和低维护成本。
NEO Semiconductor 声称，3D X-DRAM 是世界上第一个用于 DRAM 内存的 3D NAND 技术，旨在解决 DRAM 容量有限的问题并取代“整个 2D DRAM 市场”的解决方案。 该公司声称其解决方案优于竞争产品，因为它比当今市场上的其他选择方便得多。
NEO Semiconductor 解释说，3D X-DRAM 使用基于无电容浮动单元技术的类 3D NAND DRAM 单元阵列结构。 3D X-DRAM 芯片可以使用与 3D NAND 芯片相同的方法制造，因为它们只需要一个掩模来定义位线孔并在孔内形成单元结构。
这种蜂窝状结构简化了工艺步骤，为系统内存3D内存的生产提供了“高速、高密度、低成本、高性能的解决方案”。 NEO Semiconductor 估计其新的 3D X-DRAM 技术可以实现 128GB 的 230 层密度，这是当今 DRAM 密度的 8 倍。
Neo 表示，目前整个行业都在努力将 3D 堆叠解决方案引入 DRAM 市场。 借助 3D X-DRAM，芯片制造商可以使用当前“成熟”的 3D NAND 工艺，而无需科学论文和内存研究人员提出的更奇特的工艺。
3D X-DRAM 解决方案看起来将避免 RAM 制造商在采用类似于 3D NAND 的技术方面长达十年的延迟，而下一波“人工智能应用”（例如无处不在的聊天机器人算法 ChatGPT）将推动对高性能的需求性能系统大容量内存。
NEO Semiconductor 的创始人兼首席执行官、拥有 120 多项美国专利的“成就卓著的发明家”Andy Hsu 表示，3D X-DRAM 是不断增长的 3D DRAM 市场中无可争议的领导者。 这是一种非常容易制造和扩展的廉价解决方案，可能会成为真正的繁荣，特别是在对高密度 DIMM 有迫切需求的服务器市场。
据NEO Semiconductor称，3D X-DRAM的相应专利申请已于6年2023月128日在美国专利申请公告中公布。 该公司预计该技术将不断发展和改进，密度在 1 年代中期从 2030GB 线性增加到 TB。
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