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高通骁龙5100系列芯片将采用4nm工艺制造

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Wear OS 平台上的所有智能手表都有一个主要缺点:电池寿命短。 尽管各家公司尽了最大努力,但 Wear OS 手表在自主性方面无法与之竞争, Apple 手表和其他系统上的其他可穿戴设备。 他们试图通过发布新的 Snapdragon Wear 4100 和 Wear 4100+ 芯片来部分解决这个问题。 没有达到最佳结果,仍然希望新的 Qualcomm 平台 - Snapdragon Wear 5100 和 5100+ 的能源效率会更好。 预计新芯片会增加性能,并且通过安装更多内核来实现必要的功率增加。

但有理由相信,高通可能会因此放弃这条道路,对新芯片的架构进行重大改变。 所有这些都可能导致延迟,Snapdragon Wear OS 5100 和 Wear OS 5100+ 的发布将被延迟。 预计新处理器将更加紧凑,并根据 4 纳米技术标准制造。

高通Snapdragon

今天众所周知,未来的 Qualcomm Snapdragon Wear 5100 和 Snapdragon Wear 5100+ 处理器将采用 4 纳米工艺制造,与当前这一代芯片相比,该工艺应能提供更高的性能。 对于那些不知道的人,当前一代高通 Snapdragon Wear 4100 芯片采用 12nm 工艺制造,而 Snapdragon Wear 3100 使用 28nm 节点。

另据悉, Samsung Foundry 将生产这些新芯片,但它们也将被其他智能手机制造商使用,并且不仅限于来自 Samsung.

如果报道可信,Snapdragon Wear 5100+ 将采用所谓的模制嵌入式封装 (MEP),其中所有部件都封装在一起。 据报道,它还使用 ARM 技术进行心率和跌落检测,以及改进的触觉。

两种变体都有四个主频为 53GHz 的 Cortex-A1,7 内核,以及一个主频为 702MHz 的 Adreno 700 GPU。 它们将支持高达 4GB 的 LPDDR4X RAM 和 eMMC 5.1 存储。

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