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Samsung ARM将制造频率为7GHz的3nm芯片

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公司 Samsung 宣布扩大与 ARM 的合作伙伴关系。 该联盟打算将使用 7 纳米和 5 纳米 FinFET 技术工艺制造的第一批芯片推向市场。 同时,它们将以 3 GHz 或更高的频率工作。

报道了什么

这些芯片将基于下一代 Cortex-A76 内核。 不出所料,7纳米工艺 Samsung 7LPP(7nm,Low Power Plus)将于今年下半年量产。

Samsung

这将是第一个使用紫外线的工艺过程。 Samsung 将在硬紫外范围 (EUV) 为其生产光刻。 下一个工艺流程 5LPE 将是 7LPP 的发展,将允许减小晶体的尺寸,并降低能源消耗。

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新的 Cortex-A76 内核应该会取代 Cortex-A75。 如前所述,它在生产力方面超过了“七十五”35%,在能源效率方面超过了 40%。 此外,机器学习任务的性能翻了两番。 并且相比Cortex-A73,提升幅度将达到50-150%。 有时优势会增加一个数量级。

什么时候等

预计首批基于 ARM Cortex-A76 的单芯片系统将于 2019 年面世。 这意味着基于它们的现成设备只能在明年年底或 2020 年初发布。

同时,我们注意到频率的增加将需要对冷却系统进行认真的修改。 它还会对电池的“寿命”产生负面影响。 然而, Samsung 从事固态电池研究一年多了。 也许新芯片的发布将是它们推向市场的原因。

有一件事是明确的——该公司打算通过新的技术流程改变移动解决方案市场的力量平衡。 我们正在等待高通和联发科的回应。

Dzherelo: Samsung

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