Samsung 宣布量产16G DDR5 DRAM内存，采用业界最先进的12纳米级工艺制程。 最现代化的生产流程的完成再次印证了公司的领导能力 Samsung 在先进的 DRAM 技术领域。
与上一代相比，新的内存 Samsung 5 纳米级 DDR12 DRAM 可将功耗降低 23%，同时将晶圆性能提高 20%。 出色的能源效率使其成为寻求降低其服务器和数据中心的能源消耗和碳足迹的全球 IT 公司的理想解决方案。
发展 Samsung 12 nm 工艺技术通过使用具有高导电性的新材料成为可能，这有助于增加电池的容量。 高电容导致数据信号中存在显着的电位差，从而更容易准确地区分它们。 该公司在降低工作电压和噪音方面所做的努力也有助于创建客户所需的最佳解决方案。
三星的 7,2 纳米 DDR30 DRAM 产品线的最高速度为每秒 5 吉比特，这意味着可以在大约一秒钟内处理两部 12GB 超高清电影，它将支持越来越多的应用程序，包括数据中心、人工智能和下一代计算。
去年 16 月，三星完成了其 5 GB DDR DRAM 与 AMD 兼容性的测试，并继续与全球 IT 公司合作，推动下一代 DRAM 市场的创新。
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