Samsung 电子 推出业界最大容量的12nm DDR5 DRAM 32Gb内存芯片，据称该芯片非常适合人工智能时代。 在此之前，该公司只能使用 TSV 安装的 32 Gbit 晶体一个接一个地生产 16 Gbit 芯片。 与 32 Gb 芯片采用同一封装的“一体式”5 Gb DDR16 芯片的发布将减少功耗，并为有望实现 1 TB 内存模块开辟道路。
据估计 Samsung，容量加倍的DDR5芯片将使10GB DDR128模块的功耗降低5%。 有趣的是，该公司最近于今年 12 月宣布开始生产 16 nm 5 Gbit DDR32 DRAM。 当前的公告并不意味着立即开始大规模生产 32 Gbit 芯片。 该公司承诺今年年底才会开始生产。 将批量供应的芯片容量提高到 5 GB 将使内存制造商能够转向发布容量为 64 GB 的大容量 DDR1 模块和容量高达 TB 的服务器型号。
“通过制造 12nm 32Gb 级 DRAM，我们提供了一种解决方案，能够生产高达 1TB 的 DRAM 模块，这为我们提供了绝佳的机会来满足人工智能和大数据时代对大容量 DRAM 不断增长的需求。 Sun 表示：“数据。”该公司 DRAM 产品与技术部门执行副总裁 Jun Hwang Samsung 电子产品。 “我们将继续开发基于差异化制造工艺和设计技术的 DRAM 解决方案，以突破内存技术的界限。”
目前，SK海力士和美光等内存制造商仅提供24Gb DDR5芯片，允许海量模块高达96GB，但 Samsung 将容量提升一个档次，提供第三种更密集的解决方案。 不过，美光还在其路线图中确认了 5Gb DDR32 芯片的开发工作，尽管尚未正式宣布。
对于他的故事 Samsung 将 RAM 限制扩大了 500 倍。 该公司于 64 年推出了第一款 (1983 Kbit) 存储器。 在过去的40年里，它使微电路的容量增加了令人难以置信的倍数，这在当时很少有人能想到。
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