Samsung 在为 PC 和移动设备开发新一代 RAM 方面刚刚达到了一个重要的里程碑。 公司交付了第一百万个基于极端紫外线工艺的 4 纳米级 DDR10 DRAM 模块。 下一代光刻技术应该有所帮助 Samsung 克服 DRAM 缩放中的障碍，这将减少开发时间并提高性能。
但不要指望基于 EUV 的 RAM 会很快普及。 在 Samsung 直到 2020 年下半年才会有另一家工厂生产芯片，并且制造商预计要到 5 年才能开始量产更快的 DDR2021 内存。 这更像是对 RAM 未来的展望，而不是现在的现成解决方案。