Samsung 今天宣布开始量产据信是 236 层 8D NAND 存储器，该公司称之为第 2400 代 V-NAND。 新芯片的数据传输速率为 12 Mbit/s，与改进的控制器相结合，可以创建数据传输速率超过 Gbit/s 的客户级固态硬盘。
全新第 8 代 V-NAND 设备容量为 1 TB（128 GB）， Samsung 声称拥有业界最高的位密度，但未透露芯片尺寸或实际密度。 该芯片还具有 2400 Mbps 的数据传输速率，这对于最佳 PCIe 5.0 x4 固态硬盘至关重要，当与适当的控制器配对时，可提供 12,4 Gbps（或更高！）的闪电般的数据传输速度。
Samsung 声称新一代 3D NAND 存储器将提供比现有相同容量的闪存接口高 20% 的每晶圆性能，这将降低公司的成本（假设性能相同），这可能意味着固态硬盘的价格更低。
同时，该公司并未透露该设备的架构，但根据提供的图像，我们可以假设它是一个双平面 3D NAND 芯片。
“随着市场对更密集、更高容量存储驱动器的需求增加了 V-NAND 层的数量， Samsung 执行副总裁 SongHoi Hur 表示，应用其先进的 3D 缩放技术来减小表面积和高度，同时避免在缩小时通常发生的单元间干扰 Samsung 关于闪存和技术的电子产品。 “我们的第八代 V-NAND 将有助于满足快速增长的市场需求，并使我们能够更好地提供更加差异化的产品和解决方案，从而支持未来的存储创新。”
Samsung 尚未公布任何基于第 8 代 V-NAND 内存的实际产品，但我们可以假设首批设备将专注于客户端应用程序。
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