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Samsung 电子是引领电子趋势的科技巨头。 Galaxy 智能手机是该公司在显示器、硬件、电池等方面取得成就的一个很好的例子。 然而，经营战略 Samsung 不限于移动设备。
该公司的下一个令人印象深刻的项目涉及开发业界首款基于高 K 金属栅极 (HKMG) 技术的 512 GB DDR5 内存模块。 这种生产技术将保证 DDR4 RAM 的性能翻倍，达到 7200 Mbit/s。
新一代RAM DDR5来自 Samsung 开发时考虑了超级计算机、人工智能和机器学习系统以及处理研究数据库的特定需求。
现在 Samsung 是唯一拥有必要资源和能力整合 HKMG 以创建 DRAM 内存的制造商。 传统上，这项技术用于制造半导体，但现在可以生产 DDR5 RAM。 Samsung 承诺不仅性能更高，而且能耗降低两位数。
测试表明，采用 HKMG 技术的基于 DDR5 的数据中心可全速运行，功耗降低约 15%。 任何减少所需能源的优化对于服务器配置都至关重要。
HKMG 工艺于 6 年首次用于 GDDR2018 内存的创建。 该公司现在正在将这一创新工艺的功能扩展到 DDR5 RAM。 在这种情况下，“硅通孔”(TSV) 技术允许您放置八层 16 Gb DRAM，总容量为 512 GB。
好吧，现在 Chrome 绝对够用了。
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